Удлинитель-переноска Калибр 10м 00000067129 — цена, отзывы, характеристики, фото

Сумка для переноски арбузов — Дизайн и архитектура на TJ

Нести приятнее, чем пакет

Фото Tsuchiya Kaban

Японский бренд Tsuchiya Kaban создал сумку для переноски арбузов. Над проектом работал дизайнер Юсуке Кадои, он называется The Fun of Carrying («Удовольствие от ношения» — англ.).

Фото Tsuchiya Kaban

Как делали сумку

1360

просмотров

{
«author_name»: «Алексей Боржонов»,
«author_type»: «editor»,
«tags»: [«\u0434\u0438\u0437\u0430\u0439\u043d»],
«comments»: 41,
«likes»: 21,
«favorites»: 5,
«is_advertisement»: false,
«subsite_label»: «art»,
«id»: 196783,
«is_wide»: true,
«is_ugc»: false,
«date»: «Mon, 10 Aug 2020 17:13:23 +0300»,
«is_special»: false }

{«id»:230943,»url»:»https:\/\/tjournal. ru\/u\/230943-aleksey-borzhonov»,»name»:»\u0410\u043b\u0435\u043a\u0441\u0435\u0439 \u0411\u043e\u0440\u0436\u043e\u043d\u043e\u0432″,»avatar»:»bf96f844-1eb5-32fd-b57a-e49c60f7e10a»,»karma»:78473,»description»:»»,»isMe»:false,»isPlus»:false,»isVerified»:false,»isSubscribed»:false,»isNotificationsEnabled»:false,»isShowMessengerButton»:false}

{«url»:»https:\/\/booster.osnova.io\/a\/relevant?site=tj»,»place»:»entry»,»site»:»tj»,»settings»:{«modes»:{«externalLink»:{«buttonLabels»:[«\u0423\u0437\u043d\u0430\u0442\u044c»,»\u0427\u0438\u0442\u0430\u0442\u044c»,»\u041d\u0430\u0447\u0430\u0442\u044c»,»\u0417\u0430\u043a\u0430\u0437\u0430\u0442\u044c»,»\u041a\u0443\u043f\u0438\u0442\u044c»,»\u041f\u043e\u043b\u0443\u0447\u0438\u0442\u044c»,»\u0421\u043a\u0430\u0447\u0430\u0442\u044c»,»\u041f\u0435\u0440\u0435\u0439\u0442\u0438″]}},»deviceList»:{«desktop»:»\u0414\u0435\u0441\u043a\u0442\u043e\u043f»,»smartphone»:»\u0421\u043c\u0430\u0440\u0442\u0444\u043e\u043d\u044b»,»tablet»:»\u041f\u043b\u0430\u043d\u0448\u0435\u0442\u044b»}},»isModerator»:false}

Еженедельная рассылка

Одно письмо с лучшим за неделю

Проверьте почту

Отправили письмо для подтверждения

Переноска Для Кошек Прикол Фото

chance2. ru

• Лучшее
• Популярное
• Подборки
• Новости
• Новинки
• Хиты

Рекомендуем:

• ОКРАСЫ БЕНГАЛЬСКИХ КОШЕК ТАБЛИЦА С ФОТО




• ПАРША У КОШЕК ФОТО И ЛЕЧЕНИЕ




• ИГРОВЫЕ КОМПЛЕКСЫ ДЛЯ КОШЕК ФОТО




• ПЕРСИДСКИЙ КОТ ФОТО РЫЖИЙ




• АМЕРИКАНСКАЯ ГЛАДКОШЕРСТНАЯ КОШКА ФОТО




• ЛЕНТОЧНЫЕ ГЛИСТЫ У КОШЕК ФОТО




• РЖАВАЯ КОШКА ФОТО




• КОТ С ТЕЛЕФОНОМ ФОТО




• КОТ ПИКАЧУ ФОТО

Реклама

Новое

• 
  
  РЫЖИЕ БРИТАНСКИЕ КОТЫ ФОТО
    7790
  






• 
  
  КОРМ ДЛЯ КОШЕК ФРИСКИС ФОТО
    8584
  






• 
  
  НОВОРОЖДЕННЫЕ КОТЯТА ЭКЗОТЫ ФОТО
    2131
  






• 
  
  КОТ С БОЛЬШИМИ ГЛАЗАМИ ФОТО
    9756
  






• 
  
  БРИТАНСКИЙ ПЕРСИКОВЫЙ КОТ ФОТО
    8722
  






• 
  
  СКАЧАТЬ АНИМЕ ФОТО ДЕВУШЕК КОШЕК
    7447
  






• 
  
  БРИТАНЕЦ КОТ ФОТО ГОЛУБОЙ
    3958
  






• 
  
  ТУРЕЦКИЙ ВАН ПОРОДА КОШЕК ФОТО
    7613
  






• 
  
  ЧЕРЕПАХОВЫЙ ОКРАС У КОШЕК ФОТО
    4866
  

© 2019 chance2.ru

x

Грузоперевозки от «Перевозки-Переноски» — перевозка грузов для Вас и вашего бизнеса

Квартирный переезд с грузчиками

Возможно ли устроить такое хлопотное и трудоемкое дело, как квартирный переезд, без лишних затрат и нервов? Конечно, если обратиться в транспортную компанию «Перевозки-Переноски». Мы заняты в сфере грузоперевозок с 1998 г., и за это время накопили огромный реальный опыт работы, в том числе по квартирным переездам. Организуем переезд под ключ – от составления описи и профессиональной упаковки ваших вещей до доставки и расстановки их на новом месте согласно вашим пожеланиям. У нас работают исключительно квалифицированные такелажники и опытные водители, прекрасно знакомые с Москвой и МО. Доверьте все хлопоты по организации квартирного переезда компании «Перевозки-Переноски» – а сами отмечайте новоселье!

Подробнее…

Офисный переезд под ключ

Организовать офисный переезд быстро, недорого, без нервов и головной боли? Это возможно, если обратиться в компанию «Перевозки-Переноски»! Мы поможем произвести переезд офиса в кратчайшие сроки, чтобы вы и ваши сотрудники могли сразу же приступить к работе на новом месте. Работаем под ключ: разберем и бережно упакуем мебель, стеллажи и оргтехнику, оперативно доставим их и расставим на новом месте в соответствии с планом расстановки. Диспетчеры, логисты, грузчики и водители компании «Перевозки-Переноски» сделают все возможное, чтобы даже при переезде ваш бизнес продолжал работать без простоев и приносить прибыли! Звоните!

Подробнее…

Грузовое такси №1 по Москве и МО

Грузовое такси от компании «Перевозки-Переноски» – это удобно, выгодно и действительно быстро! Просто наберите номер 495 255 59 59 – и наше такси, полностью готовое к загрузке, прибудет к вашему дому, офису, магазину в течение часа. Наш автопарк состоит только из новых ГАЗелей и импортных автофургонов и подойдет для решения любых ваших логистических задач. Доставим «с ветерком» ваше имущество на дачу, поможем с квартирным или офисным переездом, срочно довезем вашим покупателям и заказчикам партии скоропортящихся продуктов. Наши грузчики помогут вам упаковать вещи и бережно погрузят их на борт. Вместе с компанией «Перевозки-Переноски» даже экстренный переезд будет легким и приятным!

Подробнее…

Услуги грузчиков-такелажников

Компания «Перевозки-Переноски» предлагает услуги квалифицированных грузчиков-такелажников. Все наши грузчики получили специальное образование, сдали квалификационные экзамены, обладают соответствующими допусками и удостоверениями, могут работать со спецтехникой. Им вы сможете доверить любую работу – от погрузки мебели и оргтехники при переезде до сложных и узкоспециализированных такелажных работ. Предлагаем услуги по погрузке-разгрузке и на почасовой основе, и на любые длительные сроки. Самые выгодные тарифы и приятные бонусы для постоянных заказчиков. Пишите и звоните круглосуточно!

Подробнее…

Калужские огнеборцы освоили спасательные лайфхаки

В областном центре прошло очередное занятие школы оперативного мастерства пожарных.

Оно было посвящено оперативному опыту спасения пострадавших.

Как это было смотрите в сегодняшнем фоторепортаже.

• </p></div>» data-thumb=»/files/thumbs/180×130/files/photo_report/160032/179498.jpg» data-src=»/files/photo_report/160032/179498.jpg»>
  

  Занятия в школе оперативного мастерства прошли в ПСЧ-2 во Мстихино. Фото: Владимир Кормильцев.





• 
  

  Иван Рыжих начальник караула ПСЧ-12. Фото: Владимир Кормильцев.





• 
  

  Непростое испытание. Фото: Владимир Кормильцев.





• 
  

  Обычная пожарная лестница в роли рычага для спуска с высоты. Фото: Владимир Кормильцев.





• Фото: Владимир Кормильцев. </p></div>» data-thumb=»/files/thumbs/180×130/files/photo_report/160032/179503.jpg» data-src=»/files/photo_report/160032/179503.jpg»>
  

  Снизу видно всё. Фото: Владимир Кормильцев.





• 
  

  Спинальные щиты — удобное средство для переноски пострадавших. Фото: Владимир Кормильцев.





• 
  

  Такие учения всегда в центре внимания СМИ. Фото: Владимир Кормильцев.





• 
  

  Тележурналист Ольга Золотина пробует себя в роли огнеборца. Фото: Владимир Кормильцев.





• Фото: Владимир Кормильцев. </p></div>» data-thumb=»/files/thumbs/180×130/files/photo_report/160032/179507.jpg» data-src=»/files/photo_report/160032/179507.jpg»>
  

  Урок вязания узлов. Фото: Владимир Кормильцев.





• 
  

  Эвакуация из окна верхнего этажа. Фото: Владимир Кормильцев.

Жена обладателя Кубка Стэнли Александра Волкова Верника: фото, видео, блог

Обладатель Кубка Стэнли в составе «Тампы» Александр Волков 25 марта был обменен в «Анахайм». В прессе сообщили, что 23-летний форвард сам попросил об этом, не видя перспектив в запасном составе клуба-чемпиона. Сразу после сделки россиянин отправился в расположение своей новой команды, однако до сих пор находится в ковид-протоколе и еще не дебютировал за «Дакс». В Калифорнию вместе с Александром переехала и его жена Вероника. Пара поженилась этим летом, незадолго до старта плей-офф, который получился для Волкова очень успешным.

Вместе Вероника и Александр уже несколько лет. Девушка рассказала своим подписчикам в инстаграме, что их познакомил общий знакомый. До переезда в США она закончил университет в Чехии по специальности журналистика. Вместе с Волковым сначала жила в Сиракьюс (штат Нью-Йорк), где нападающий играл в АХЛ, а потом перебралась в солнечную Тампу. Совсем недавно Вероника завела свой телеграм-канал, в котором рассказывает о жизни в США.

«Однажды я уже пробовала вести тг-канал, но так как мы жили в другом городе, где почти нечего рассказывать, а уж тем более показывать, дело это я быстренько забросила. Хочу попробовать снова, настрой как минимум боевой, надеюсь, и вам понравится», — так выглядит первый пост «This American life».

Девушка рассказывает о том, как выглядят многоквартирные дома в Тампе, какой выбор продуктов есть в местных супермаркетах и многом другом. Неприятными ситуациями Вероника тоже делится. Вероника жаловалась на груминг в Америке: «Прихожу и вижу ЛЫСУЮ СОБАКУ! Я расплакалась, мне стало в буквальном смысле плохо от увиденного. За это я еще и отдала 110 долларов!», — написала она 21 марта.

На этом «приключения» с собакой не закончились. После обмена Александра его супруга сразу же стала собирать вещи и готовиться к переезду в Калифорнию. С первого раза улететь ей не удалось.

«Всем привет! У меня произошла просто шоковая история. Мы должны были улетать сегодня утром вместе с собакой. Вчера мы все сделали, купили билет, оформили собаку в салон. Сегодня приехали, все прошли… Суть в том, что он замечательно сидит в переноске, но переноска должна быть чуть приоткрыта, чтобы ты его гладил и он не так нервничал. Ко мне начали подходить стюардессы и говорить: «Вы сидите в первом классе, люди жалуются». Я говорю: «Но это ваши правила. Вы сказали, что переноску надо закрыть. Собака, конечно, начала орать».

Они сказали: «Так как люди жалуются, по правилам нашей авиакомпании собака в переноске должна сидеть молча. Либо она не полетит. Или не полетите вы вдвоем».

В итоге Веронике пришлось сдать питомца в багаж и улететь на следующий день. Она уже сообщила своим подписчикам, что добралась до Анахайма и совсем скоро будет рассказывать о жизни на Западном побережье США. Теперь осталось Александру удачно дебютировать за «Дакс» и закрепиться в основе. Тогда интересных историй от Вероники точно будет больше!

Подписывайтесь на хоккейный телеграм-канал Sport24

С кем должен спать ребенок? Нужна ли коляска? Разбираем родительские мифы

27 марта 2021

Автор фото, Getty Images

Если у вас нет собственных детей, вы, скорее всего, слышали от знакомых, у которых недавно родился малыш, какие тяжелые у них ночи. Новорожденный часто просыпается, плачет, и даже если, как говорят, самый тяжелый период (первые три месяца) позади, далеко не у всех дело налаживается.

Под «делом» мы сейчас подразумеваем возвращение родителей к нормальному сну по ночам. Хотя бы с полуночи до пяти утра. А еще лучше — к полноценным восьми часам непрерывного сна, и чтобы никто не плакал рядом.

Для достижения этого молодые родители готовы пойти на многое — сначала они отселяют младенца в собственную кроватку, потом — в другую комнату, потом идут на курсы, где их обучают, как привить малышу подходящий график сна и бодрствования, как заставить его дремать по расписанию, выгодному… кому? Не малышу, естественно — его родителям.

Какой вопрос задают молодым родителям на Западе, как только их затуманенное первыми неделями жизни с новорожденным сознание начинается немного проясняться? «Он у вас уже в своей комнате?»

Однако давайте сразу уточним: спать в разных с ребенком комнатах — это относительно новое «усовершенствование», на которое пошла западная цивилизация. И далеко не везде в мире так делают.

В других культурах норма совершенно другая: родители ночуют в одной комнате с ребенком, а то и в одной постели — кое-где порой лет до семи.

«Они не приклеятся к вам навечно»

С точки зрения остального мира Запад понимает родительские обязанности весьма своеобразно. И речь не только о сне по расписанию.

В США и Великобритании родителям советуют ночевать в одной комнате с младенцем по крайней мере первые полгода со дня его рождения. И многие родители смотрят на это только как на короткий и вынужденный переходный период к отдельной комнате для ребенка.

Однако в большинстве других стран мира младенцы остаются с родителям много дольше. В вышедшем в 2016 году обзоре исследований на эту тему указывается, что во многих странах Азии дети делят с родителями не только комнату, но и постель — в 70% случаев в Индии и Индонезии, в более чем 80% случаев в Шри-Ланке и Вьетнаме. Статистика по странам Африки не очень надежна, но там, где она существует, она подтверждает: в Африке тоже, как правило, спят вместе с маленькими детьми.

Автор фото, Getty Images

Подпись к фото,

По мнению некоторых специалистов, самая идея того, что младенцы не должны просыпаться среди ночи — не более чем культурный миф, сложившийся на Западе

Но послушайте, может возразить читатель, это потому, что страны в основном бедные, вот и спят все в одной комнате… И это будет очередным (и типичным) западным предубеждением.

Как рассказывает доктор и консультант по проблемам воспитания детей Дебмита Дутта из Бангалора, спать в одной постели с маленькими детьми — прочная, устоявшаяся традиция в Индии, даже в тех совершенно не бедных семьях, где у каждого ребенка есть своя комната.

«В доме семьи из четырех членов может быть три спальни — по одной на каждого ребенка и для родителей. И тем не менее вы обнаруживаете, что оба ребенка спят в постели у матери», — говорит она.

По словам Дутты, сон в одной постели — один из способов облегчить бремя просыпающихся по ночам младенцев. У ее собственной дочери была свертывающаяся постелька, на которой она могла спать рядом с родителями — вплоть до семилетнего возраста.

«Даже после того, как я прекратила ее кормить грудью, ей нравилось ночевать в одной комнате с нами», — объясняет Дутта. Для нее, индийской матери, это — нормально.

А вот на Западе считают по-другому, прибегая порой к экстремальным методам — например, оставить младенца одного и «дать ему выплакаться». Для чего? Чтобы заставить его спать более продолжительные отрезки времени. Зачем? Чтобы родители могли отдохнуть от него. Ну и, разумеется, чтобы он сам хорошо отдохнул, поспешат добавить сторонники таких методов.

В Австралии работают даже финансируемые государством школы сна для родителей (с проживанием), где им рассказывают, как обучить ребенка правильному сну.

Автор фото, Getty Images

Подпись к фото,

Сон с младенцем полезен и ребенку, и родителю

С такой точки зрения сон в одной постели с ребенком может восприниматься так, как будто вы пошли у ребенка на поводу, как будто вы поощряете его замедленное взросление, провоцируете детей как можно дольше оставаться зависимыми от родителей.

Однако в странах Азии преобладает коллективистский тип мышления, и такие матери, как Дутта, смотрят на ситуацию иначе.

«Вы постепенно даете им все больше веры в себя, все больше независимости, и они [рано или поздно] станут самостоятельными, освободятся от вашей опеки сами по себе, — подчеркивает она. — Они не приклеятся к вам навечно».

Опасно ли спать вместе с ребенком?

Эта разница между западным и азиатским (африканским или иным) подходами, разница в менталитете в итоге влияет на то, когда и сколько спят дети.

Как показало исследование ученых из токийского медицинского центра Tokyo Bay Urayasu Ichikawa Medical Center, трехмесячные младенцы в Японии, как правило, спят меньше, чем младенцы в других странах Азии — возможно, потому, что «в Японии сон считается признаком лени», отмечают авторы.

Обнаружено также, что дети в азиатских семьях ложатся спать, как правило, позднее, чем дети в странах Запада. Ученые полагают, что отчасти это может быть и-за того, что азиатские родители хотят проводить с детьми больше времени по вечерам.

Сон в одной постели с ребенком — еще одна причина. В японской культуре, например, — это норма: «родители ощущают ребенка как часть собственного тела».

Американская академия педиатрии рекомендует родителям ночевать в одной комнате с маленьким ребенком, чтобы снизить риск синдрома внезапной детской смерти (СВДС), однако ее специалисты против сна в одной постели с малышом, поскольку это, по их мнению, увеличивает риск СВДС.

Однако Рашми Дас, профессор педиатрии из Всеиндийского института медицинских наук и автор обзора исследований безопасности сна в одной постели с ребенком, подчеркивает, что отсутствие высококачественных научных работ на эту тему крайне усложняет ответ на вопрос, увеличивается ли на самом деле риск СВДС в таких ситуациях при отсутствии других рисков — курения и потребления алкоголя.

Автор фото, Getty Images

Подпись к фото,

Слингоношение детей помогает родителям сохранять тесную связь (не только физическую) со своим ребенком на протяжении дня

«Мы не можем сказать, увеличивает ли риск СВДС сон в одной постели с малышом», — отмечает Дас.

Исследования по этой теме в основном проводятся в развитых странах с высоким уровнем доходов, где такой сон не традиционен. Однако в странах с низким уровнем доходов, где это обычная вещь, уровень СВДС — как правило, один из самых низких в мире.

И дело тут не просто в географии: когда родившиеся в Азии переезжают на Запад, они импортируют свои культурные традиции и их последствия — в том числе, низкий уровень риска синдрома внезапной детской смерти.

Например, в семьях выходцев из Пакистана, живущих в Британии, уровень риска СВДС ниже, чем в белых британских семьях, несмотря на то, что пакистанские матери, как правило, спят в одной постели со своими малышами. Стоит, кроме того, отметить, что, согласно исследованиям, женщины в семьях выходцев из Пакистана чаще кормят младенцев грудью и гораздо реже курят и потребляют алкоголь. И не склонны оставлять маленького ребенка на ночь в отдельной комнате.

Дас, который рекомендует сон в одной постели с младенцем, предупреждает, что ни о каком курении или потреблении алкоголя в таких случаях не может идти и речи. Родители также не должны быть слишком тучными, иначе они могут во сне случайно придавить малыша.

Британский благотворительный фонд Lullaby Trust, работающий над предупреждением случаев СВДС, разработал памятку тем родителям, кто хочет сделать свою постель безопасной для сна малыша.

Всегда вместе, всегда рядом

Итак, мы уже поняли, что, с точки зрения представителей многих наций, ночь с младенцем в постели — это не обуза, это нормально и полезно как для малыша, так и для матери, это укрепляет связь «родитель — ребенок» и дает шанс на настоящую близость хотя бы ночью.

Похожую близость, только уже днем, обеспечивает ношение ребенка на руках с помощью приспособлений типа слинга. «Слинг» — это отнюдь не новый тренд. Матери так носили детей испокон веков, только приспособления немного различались технологичностью, изобретательностью и удобством.

Только в викторианскую эпоху (вторая половина XIX века), когда в Британии стали популярны детские коляски, западное общество стало понемногу отходить от традиции носить малышей на руках.

Автор фото, Getty Images

Подпись к фото,

Маленькому ребенку нужен постоянный тесный контакт с родителем, днем и ночью

Даже те родители, которые никогда не пользовались слингом и его вариациями, наверняка замечали, как быстро успокаивается малыш, когда его берут на руки и ходят с ним по комнате. «Родители интуитивно приходят к пониманию того, что ритмические движения с частотой 1-2 герца успокаивают ребенка, погружают его в сон», — отмечает Куми Курода из японского центра когнитивной психологии Рикен.

Курода решила начать изучать психологический эффект от ношения младенца на руках после того, как ознакомилась с результатами исследования, в котором утверждалось, что не нашлось подтверждения связи между количеством времени, которое ребенка носят на руках, и количеством времени, которое он плачет.

«Я никак не могла с этим согласиться», — говорит Курода. Результаты ее собственного исследования показали: ношение ребенка на руках снижает у него частоту сердцебиений и сокращает количество времени, которое малыш плачет.

По ее словам, держание ребенка на руках без передвижения или, наоборот, передвижение с ним в коляске или в автомобиле имеют похожий успокаивающий эффект, однако сочетание одного с другим действует быстрее.

С точки зрения биологии, младенцу нужен постоянный тесный контакт с родителем, днем и ночью.

В первые месяцы малышей требуется часто кормить — круглые сутки. Даже когда суточные биоритмы ребенка начнут складываться и основные часы его сна сдвинутся на ночное время, совершенно нормально, если в первый год малыш просыпается по ночам.

Автор фото, Baby Sleep Information Source website/ Kathryn O’D

Подпись к фото,

На Западе сформировался миф о том, что те дети, которые научились спать отдельно от родителей, якобы будут более самостоятельными, когда вырастут

«Биология младенцев не особенно изменилась за сотни или тысячи лет, — подчеркивает Хелен Болл, профессор антропологии Даремского университета и директор университетской «Лаборатории сна Родитель — Ребенок». — Зато за последние десятилетия радикально изменилась наша культура, изменилось наше отношение к детям и родительским обязанностям».

«Это новое отношение, среди прочего, породило миф о том, что младенцы не должны просыпаться ночью», — говорит Болл.

Миф и его последствия

И у этого мифа есть последствия. Нарушения сна на ранней стадии материнства начали связывать с послеродовой депрессией. Но, как указывает профессор Болл, пытаться «исправить» сон ребенка — это решать не ту проблему.

«Родители, у которых депрессия, гораздо больше страдают от прерывания сна, чем те, у которых депрессии нет, — подчеркивает она. — Нам надо исправить не ребенка, а то, что в голове у родителей. Нам надо поддержать их, помочь им начать воспринимать ситуацию иначе».

Чтобы вооружить молодых родителей точными знаниями, Болл составила своего рода путеводитель по сну младенца.

Сама идея того, что более «взрослые» младенцы должны спать всю ночь, почерпнута из исследований 1950-х, когда оказалось, что в группе из 160 лондонских младенцев 70% начали «спать всю ночь» к трехмесячному возрасту.

Однако те исследователи определяли это самое «спать всю ночь» как не будить родителей плачем и не тревожить с полуночи до пяти утра, а это, согласитесь, совсем не то же самое, что нормальный восьмичасовой сон, о котором мечтает уставшая мать. К тому же не указывалось, что именно делали младенцы, когда они «не тревожили» родителей ночью — спали ли они на самом деле…

Так или иначе, 50% младенцев, уже, казалось бы, «спящих всю ночь», потом, на протяжении своего первого года жизни, снова начинали чаще просыпаться в течение ночи.

Автор фото, Getty Images

Подпись к фото,

Как показало одно исследование, когда ребенка носят на руках, частота его сердечного ритма снижается, он плачет реже

Танго с младенцем

Удивительно, но и сейчас большинство исследований детского сна проводятся среди вполне определенного населения, а именно — среди малышей западного мира, подчеркивает Хелен Болл.

Впрочем, справедливости ради стоит отметить, что и внутри культур существуют разногласия по поводу того, как растить детей. Так, далеко не все на Западе согласны с тем, что младенец должен спать в другой комнате. В одном из исследований, например, итальянские родители назвали это жестоким.

Кроме того, у разных семей — разные обстоятельства и разные возможности. Кто-то, может быть, и хотел бы проводить больше времени с ребенком на руках или в своей постели, но просто не может себе этого позволить. А у кого-то ночь — единственная возможность побыть с ребенком, обнять его, услышать, как бьется его сердечко.

Например, японка Куми Курода спала вместе со своими четырьмя детьми, чтобы как-то компенсировать им свое отсутствие днем.

«Я работаю на полную ставку, и если мне и ночью проводить время в отдельной комнате, то на контакт с ребенком остается минимум, — рассказывает она. — А так мы тесно общаемся, пусть даже это происходит ночью. Это полноценное общение, это время, которое мы проводим вместе».

Но, как подчеркивает Курода, люди должны сами решить, что для них и для их ребенка подходит больше, и не беспокоиться о том, что о них скажут, или о том, что у других родителей всё обстоит иначе.

«Думаю, что родитель и ребенок могут приспособиться друг к другу, — говорит она. — Это как в танго [танец невозможен без участия двоих]».

Итак, если вернуться к нашему набору предубеждений, то преодолеть его поможет ясное понимание: ребенок родился не для того, чтобы манипулировать нами. Даже если нам порой и кажется так в 3 часа ночи.

Сканирование документов, таких как фотографии и вырезки (с Несущим Листом / Несущим Фотолистом)

Использование дополнительного Несущего Листа или Несущего Листа для фотографий позволяет сканировать документы, которые можно довольно легко повредить, например фотографии, или документы нестандартного размера, которые трудно загрузить напрямую, например вырезки.

Обратите внимание, что с помощью ScanSnap можно загрузить и отсканировать несколько несущих листов или фото-листов за один раз.

Процедура сканирования с использованием фотобумаги описана в качестве примера ниже.

1. Откройте лоток бумаги АПД (крышку) ScanSnap, чтобы включить питание. Откройте направляющую подачи ScanSnap, чтобы включить питание. Нажмите кнопку [Scan] или [Stop] на ScanSnap, чтобы включить питание.

2. Вытяните удлинитель и укладчик на лотке бумаги АПД (крышка). Вытяните удлинитель лотка бумаги АПД (крышка) и откройте укладчик. Вытащите удлинитель.

3. Настройте параметры профиля.
   1. Нажмите кнопку [Сканировать] в верхнем левом углу главного окна ScanSnap Home, чтобы отобразить Окно сканирования.

      Окна

      Если главное окно еще не отображается, см. Отображение главного окна.

      Mac OS

      Если главное окно еще не отображается, щелкните значок [ScanSnap Home] в списке приложений, который появляется при нажатии Launchpad в Dock.

   2. Щелкните, чтобы открыть окно [Редактировать профили].
   3. Выберите профиль, настройки которого вы хотите изменить, из списка профилей.

      СОВЕТ

      • При создании нового профиля щелкните.

        Из списка шаблонов в окне [Добавить новый профиль], которое появляется при нажатии, выберите профиль шаблона и измените настройки.

   4. Нажмите кнопку [Опции] в [Подача], чтобы открыть окно [Опции подачи].
   5. Нажмите кнопку [Несущий лист], чтобы открыть окно [Настройки Несущего Листа].
   6. Выберите [два отдельных изображения (переднее и заднее)] в [Сохранить как] и нажмите кнопку [OK].
   7. Нажмите кнопку [OK], чтобы закрыть окно [Feed option].
   8. Нажмите кнопку [Сохранить], чтобы закрыть окно [Редактировать профили].
   9. На сенсорной панели ScanSnap выберите профиль, который вы настроили, из списка профилей на главном экране.
4. Загрузите документ в ScanSnap.
   1. Поместите документ в конверт для фотографий.

      Откройте Несущий Лист для фотографий и поместите верхнюю часть документа по центру по центру верхней части Несущего Листа для фотографий.

   2. Загрузите Несущий Лист для фотографий концом с черно-белым рисунком в качестве переднего края в ScanSnap.

      Совместите боковые направляющие с обоими краями Несущего Листа для фотографий.

5. Нажмите кнопку [Сканировать] на главном экране сенсорной панели, чтобы отсканировать документ.

Изображение, созданное из отсканированного документа, сохраняется в папке, указанной для [Сохранить в] в профиле.

Сохраненное изображение можно проверить в представлении списка записей данных содержимого в главном окне ScanSnap Home.

СОВЕТ

• В следующих случаях поместите чистый (белый) лист бумаги под документ при сканировании:

  • Отсканированное изображение не сохраняется с той же длиной и шириной, что и у документа

  • По краям отсканированного изображения появляются тени

  • Черные линии появляются по краям режущего документа уникальной формы, если вы поместите документ на несущий лист для фотографий

• Когда размер сохраняемого отсканированного изображения становится меньше размера исходного документа или часть изображения может отсутствовать, выберите [Размер Несущего Листа] в [Размер бумаги], а затем отсканируйте документ.

• Когда [Автоматически определяет тип документа как «Документы», «Визитные карточки», «Квитанции» или «Фотографии» и сканирует документ с соответствующими настройками сканирования] выбран для [Определение типа документа] в настройках для профиля, определение типа документа может не сработать, если размер сохраняемого изображения меньше размера документа.

  Если тип отсканированного документа отличается от типа документа записи данных содержимого, отображаемого в главном окне ScanSnap Home, измените тип документа записи данных содержимого.

• Вы можете получать уведомление на свой компьютер о типе документа для записей данных содержимого и о месте сохранения отсканированных изображений после завершения сканирования документов.

  Для получения подробной информации, смотрите Определение действий ScanSnap Home.

  Когда вы устанавливаете связь с облачной службой с помощью ScanSnap Cloud, смотрите Определение действий при использовании ScanSnap Cloud.

  Для получения подробной информации, смотрите Определение действий ScanSnap Home.

Роль легирования фотоносителей и длины волны возбуждения в генерации высоких гармоник из полупроводника

Легирование фотоносителей

При генерации гармоник из одного импульса носители (т.е. электроны и дырки) когерентно заселяются и управляются такое же лазерное поле. Для изучения влияния плотности носителей в нашем эксперименте используется импульс накачки (энергия фотона ħω ≥ E
_г ) для легирования избыточных некогерентных носителей в полупроводнике.Задержанный интенсивный импульс среднего инфракрасного диапазона (MIR) генерирует высокие гармоники из легированного кристалла. Обратите внимание, что время дефазировки когерентной электронно-дырочной пары в полупроводниках обычно составляет от нескольких до десятков фемтосекунд ²² . В предыдущих исследованиях боковые полосы высокого порядка генерируются, когда импульсы накачки и генерации перекрываются во времени, то есть до того, как электронно-дырочная пара изменится по фазе ^23,24 . В нашем исследовании импульс генерации приходит намного позже времени дефазировки и сам по себе запускает когерентный HHG.ГВГ производится в монокристалле ZnO (0001) толщиной 200 мкм, возбуждаемом импульсом MIR ∼1 ТВт см ⁻² , центрированным на длине волны 3,5 мкм. Рисунок 1а иллюстрирует экспериментальную установку. Неколлинеарный импульс накачки с центральной длиной волны 0,4 мкм фотовозбуждает кристалл ZnO через прямую запрещенную зону (3,2 эВ). Задержанный импульс генерации MIR может управлять внутризонными переходами фотовозбужденных носителей в одной полосе и / или когерентно индуцировать возбуждение и рекомбинацию между полосами.

На рисунке 1b показаны спектры ГВГ в зависимости от задержки между импульсом накачки 0,4 мкм и генерацией 3,5 мкм. На спектрограмме ( E ) можно идентифицировать гармоники ниже запрещенной зоны (7-го порядка) и выше (11-й и 13-й порядки) MIR.
_г отмечен черной пунктирной линией). При положительных задержках импульс накачки приходит после импульса генерации и, таким образом, не влияет на ГВГ, тогда как при отрицательных задержках он приходит до импульса генерации, и гармоники генерируются фотовозбужденным кристаллом.В отличие от невозбужденного кристалла при положительных задержках, выход ГВГ для всех порядков уменьшается при предварительном возбуждении. На рисунке 1c показан интегральный выход гармоник 7-го и 11-го порядка и ясно показано, что заселение зоны проводимости / валентной зоны электронами / дырками ингибирует ГВГ как ниже, так и выше запрещенной зоны. Подавление не зависит от времени, поскольку время спонтанного затухания возбужденных носителей составляет сотни пикосекунд ²⁵ , что намного больше, чем задержка. Кроме того, мы проверяем, что на передачу MIR-импульса не влияет импульс накачки (раздел «Методы»), что исключает влияние макроскопических эффектов, таких как изменение показателя преломления.

Чтобы исследовать роль плотности носителей, выход ГВГ измеряется как функция энергии накачки для двух задержек ± 5 пс, как показано на рис. 1d. Изменение энергии накачки изменяет населенность фотовозбужденных носителей (<1–25%, 10 ²⁰ –10 ²¹ см ^–3 ). Опять же, положительные задержки не приводят к изменению доходности HHG. Однако для отрицательных задержек выход сильно подавлен для обоих порядков гармоник и зависит от энергии накачки. Таким образом, более высокая плотность носителей не способствует HHG, а только снижает его.

Для интерпретации экспериментальных наблюдений применяется двухзонная одномерная модель, основанная на уравнениях Блоха для полупроводников, для вычисления зависимого от времени члена межзонной поляризации и члена внутризонного тока ¹⁴ . На рис. 2а показана эволюция электронной популяции в импульсном пространстве зоны проводимости под действием только импульса генерации МИР. Сигнатуры как для внутризонных, так и для межзонных переходов можно идентифицировать. Во-первых, электронная популяция \ (n_e \ left (t \ right) \), возбужденная в зоне проводимости, колеблется в импульсном пространстве, составляя блоховские колебания, связанные с внутризонными переходами.{P / J} (t) \). Модель предполагает, что гармонический выход от межзонного члена преобладает над внутризонным вкладом для одиночного импульса генерации.

Рис. 2

Моделирование HHG из одиночного импульса в среднем инфракрасном диапазоне. a Эволюция электронной заселенности в зоне проводимости. Население колеблется в импульсном пространстве, что соответствует внутризонному переходу. Серая линия показывает классическое движение электрона проводимости под действием лазерного поля. Альтернативное увеличение и уменьшение населенности в период суб-лазерного цикла вдоль серой линии задается межзонным переходом.J \ left (t \ right) \) от внутризонного вклада (тока). d Энергетические спектры высоких гармоник от межзонных (синий) и внутризонных (красный) переходов с помощью преобразования Фурье ( b , c ) соответственно

Для моделирования геометрии фотовозбуждения перед полем генерации вводится электрическое поле 0,4 мкм (раздел «Методы»). Определенное количество электронов (дырок) накачивается в зону проводимости (валентную), после чего импульс отложенной генерации приводит в движение ГВГ из-за межзонной поляризации и внутризонного тока.P (t) \) от межзонной поляризации при различных интенсивностях накачки слабо зависит от накачки при малых интенсивностях, но в конечном итоге быстро уменьшается при высоких интенсивностях накачки. Этот эффект, вызванный истощением носителей, приводит к тому, что в валентной зоне остается меньше электронов, которые необходимо возбуждать и когерентно рекомбинировать. Это аналогично истощению основного состояния в газовой фазе HHG и может быть понято с помощью упрощенной двухуровневой системы (дополнительный рис. 2). Напротив, член внутризонного тока, изображенный на рис.J (t) \), таким образом, ГВГ усиливается с увеличением интенсивности накачки. Это согласуется с предыдущим наблюдением, что инжектированные фотовозбужденные носители могут значительно усилить терагерцовое излучение за счет блоховских колебаний в сверхрешетке в постоянном внешнем поле ²⁶ . При самых высоких интенсивностях накачки выход ГВГ снижается, поскольку сильное возбуждение приводит к однородному пространственному распределению электронов (дырок), занимающих зону проводимости (валентную), тем самым уменьшая чистый ток (см. Обсуждение на дополнительном рис.J \ left (t \ right) \) от внутризонного перехода в зависимости от интенсивности накачки. При слабой накачке в диапазоне выше 10 ^{— 4} предварительно фотовозбужденные носители увеличивают выход. c , Интегрированный по энергии выход как функция интенсивности накачки или доли возбуждения. Синие линии относятся к вкладу межзонной поляризации (обозначены как P), а красные линии относятся к внутризонному вкладу (обозначены как J). Оба гармонических выхода за пределами запрещенной зоны (интегрированные по 3.3–4.P \) согласуется с измерениями на рис. 1г.

На рис. 3с представлены результаты расчетов интегрального выхода ГВГ для энергий гармоник ниже и выше запрещенной зоны. Помимо очевидного преобладания члена межзонной поляризации, эти два члена демонстрируют четкое различие с интенсивностью накачки. В то время как предварительное возбуждение увеличивает внутризонный вклад, межзонный вклад только подавляется, поэтому наши измерения на рис.1d может идентифицировать эти вклады. Мы наблюдаем для ГВГ над запрещенной зоной и под запрещенной зоной только постоянный выход с увеличением плотности носителей с последующим подавлением, что согласуется с поведением межзонного механизма. Наш подход может получить доступ к механизму для отдельных гармоник либо ниже, либо выше запрещенной зоны, и наше наблюдение предполагает доминирующий вклад в гармоники ниже запрещенной зоны от межзонного излучения, что противоречит некоторым предыдущим теориям ^15,27 .В этом нет ничего удивительного, поскольку виртуальные состояния в запрещенной зоне могут возбуждаться нерезонансно аналогично излучению ниже пороговых гармоник атомами газовой фазы.

Определяющая зависимость от длины волны

Наш эксперимент MIR подтверждает интерпретацию, что излучение ГВГ в ZnO является межзонным процессом между зоной проводимости и валентной зоной, в то время как внутризонный вклад остается относительно слабым. Однако наши расчеты показывают, что эта ситуация изменится на более длинных волнах.

На рисунке 4 показан расчетный выход ГВГ (в пределах диапазона постоянной энергии) как функция длины волны возбуждения от невозбужденного ZnO ​​и наших измеренных значений (черные квадраты). Расчет показывает, что выход как от межзонных, так и от внутризонных переходов уменьшается с увеличением длины волны. Наш измеренный выход ГВГ в диапазоне 2–4 мкм на удивление хорошо согласуется с рассчитанной зависимостью межзонной кривой от длины волны, где вклад внутризонной связи пренебрежимо мал. Кроме того, снижение эффективности ZnO HHG масштабируется с λ
^{— (11.4 ± 2.9)} зависимости от длины волны, что намного сильнее, чем λ
^{— (5-6)} атомный кейс ^28,29 . Однако, что наиболее важно, межзонный вклад уменьшается быстрее, чем внутризонный. Физически более длинная движущая длина волны требует большего количества фотонов для управления межзонным переходом, что приводит к уменьшению выхода ГВГ. Кроме того, короткое время дефазировки может также подавить излучение на более длинных волнах ¹⁵ .С другой стороны, зависящий от длины волны вклад от внутризонного перехода зависит как от плотности заряда, так и от его пространственного распределения по импульсам. Таким образом, ожидается, что зависимости двух вкладов от длины волны будут расходиться.

Рис. 4

Зависимость выхода ГВГ от длины волны. Расчетный выход (интегрированный по 2,0–4,0 эВ) либо от межзонного перехода (синие ромбы), либо от внутризонного перехода (красные точки) монотонно уменьшается. Подходящий уклон λ
^{— (15.3 ± 0,8)} от межзонной поляризации круче, чем аппроксимированный наклон λ
^{— (7,0 ± 0,9)} от внутризонного тока. На более длинных волнах вклад внутризонного перехода превышает вклад межзонного перехода (дополнительный рис. 5). Наше экспериментальное измерение (черные квадраты) (дополнительный рис. 6) охватывает средний инфракрасный диапазон, в котором преобладает межзонный вклад. Установленный уклон λ
^{— (11.4 ± 2.9)} из эксперимента (черные квадраты) хорошо соответствует расчету и намного круче, чем хорошо зарекомендовавший себя атомный случай ^28,29 . Планки погрешностей на рисунке оцениваются в соответствии с изменением размеров фокуса и длительности импульса на каждой длине волны

.

Наши результаты расходятся с более ранним расчетом, который показал повышенный абсолютный выход из-за внутризонного перехода на более длинных волнах ¹⁵ . Кроме того, наши расчеты показывают, что на более длинных волнах e.g., в дальнем инфракрасном или терагерцовом режиме общий абсолютный выход ГВГ будет уменьшаться, но преобладающее излучение переключится на внутризонный процесс. Однако в этом режиме увеличение плотности носителей должно быть эффективным методом увеличения эмиссии HHG. Это может стимулировать будущую работу, например, легирование кристалла для увеличения гармонического выхода при сохранении плотной гармонической гребенки для таких приложений, как спектроскопия высоких гармоник.

Что касается отсечки, то до сих пор теоретически предсказывались различные масштабирования с длиной волны возбуждения.Некоторые исследования утверждали, что линейная зависимость от длины волны ^5,27,30,31 , в то время как другие обнаружили, что она не зависит от длины волны ^16,32,33 . Здесь мы сначала отметим, что, в отличие от атомов / молекул, спектр ГВГ в полупроводниках постепенно убывает с порядком без явного обрезания. Определяя отсечку как самую высокую обнаруженную частоту, в предыдущих работах было обнаружено, что она линейно увеличивается с напряжением поля ^5,6,7 . Используя то же определение отсечки, мы заметили, что в нашем измерении длины волны отсечка на 1.8 мкм не короче 3,6 мкм на рис. 5а. При 3,6 мкм отсечка при h27 при 5,9 эВ может быть разрешена, в то время как h29 при примерно 6,5 эВ не различима по фоновому шуму. Для сравнения, при 2,3 мкм h23 по-прежнему появляется на уровне около 6,9 эВ, хотя и едва отличим от фона, что указывает на аналогичное обрезание до 3,6 мкм. При длине волны 1,8 мкм 9 ^{-й гармоники} все еще имеют значительный выход в том же диапазоне энергий, и он не показывает более короткую отсечку по сравнению с 3,6 и 2,3 мкм.

Рис. 5

Сравнение отсечки на разных длинах волн от невозбужденного ZnO. a Измеренные спектры на разных длинах волн. Интенсивности немного ниже, чем на рис. 4, чтобы наблюдать отсечки. Спектры выше 7 эВ не обнаруживаются из-за инструментальных ограничений. Отсечка от 1,8 мкм оказывается не короче отсечки от длинных волн 2,3 и 3,6 мкм. b Расчетное значение отсечки оказывается нечувствительным к длине возбуждающей волны, в отличие от хорошо известного атомного случая

.

Такое поведение отличается от атомных случаев, когда граница отсечки масштабируется с квадратом длины волны, но согласуется с предыдущим теоретическим исследованием ²⁸ , которое почти не показывает зависимости от длин волн.Это также подтверждается нашим расчетом на рис. 5б, где отсечки практически одинаковы во всем диапазоне длин волн. Энергия отсечки на короткой длине волны возбуждения кажется даже немного выше, что, вероятно, связано с более пертурбативной природой, когда энергия фотонов возбуждения относительно велика по сравнению с шириной запрещенной зоны. Обратите внимание, что отсечка может быть выше, чем максимальная энергия запрещенной зоны, поскольку сильное поле может искажать зонную структуру и модулировать запрещенную зону.

Извлечение фотоносителей с помощью трибоэлектричества для фотодетекторов без слоя переноса носителей

Основные моменты

●

Мы демонстрируем новый подход к извлечению фотогенерируемых носителей из металлоорганических галогенидных перовскитных фотодетекторов с помощью трибоэлектричества, генерируемого путем сбора механической энергии.

●

Мы изучаем и проверяем принцип работы извлечения фотоносителей с помощью такого подхода с помощью серии электрических характеристик.

●

Мы демонстрируем модуляцию фотоотклика перовскитного ЧР путем механического изгиба трибоэлектрического генератора.

●

Эта работа не только представляет инновационный подход к реализации извлечения фотоносителей с помощью трибоэлектричества из механического движения, но также демонстрирует оптоэлектронные устройства без транспортного слоя для потенциально более простых и стабильных устройств.

Реферат

Эффективное извлечение носителей необходимо для высокопроизводительных оптоэлектронных устройств, таких как солнечные элементы и фотодетекторы. Традиционные стратегии разделения фотогенерированных носителей обычно включают изготовление p-n-перехода путем легирования и использование слоев переноса заряда, селективных к носителям. Однако эти методы часто требуют высокотемпературных процессов или дорогостоящих материалов. В этой работе мы демонстрируем инновационный и простой подход к извлечению фотогенерированных носителей из металлоорганических галогенидных перовскитов с использованием трибоэлектричества.Трибоэлектрическое устройство может быть легко изготовлено при низкой температуре с использованием недорогих материалов на пластиковых подложках, что позволяет легко интегрировать его в оптоэлектронные устройства с автономным питанием. В качестве подтверждения концепции мы изготовили перовскитовый фотодетектор с трибоэлектрическим элементом, который позволил нам изучить поверхностные заряды, генерируемые с помощью различных электрических контактов и условий изгиба, выполняемых устройством. С помощью электрического поля, индуцированного трибоэлектрическим зарядом, фототок и переходные фотоотклики были значительно усилены.Кроме того, мы интегрировали пластиковое трибоэлектрическое устройство с гибким фотодетектором, чтобы продемонстрировать этот подход к сбору носителей в гибкой / носимой электронике. Насколько нам известно, эта работа является первым отчетом об извлечении носителей в металлоорганическом галогенидном перовскитном фотодетекторе с помощью трибоэлектрических зарядов, демонстрирующим потенциальное использование для извлечения носителей в других полупроводниковых оптоэлектронных устройствах.

Ключевые слова

Трибоэлектричество

Извлечение фотоносителей

Слой переноса заряда

Фотодетектор

Рекомендуемые статьи Цитирующие статьи (0)

Dr.Винсент К. С. Сяо получил докторскую степень на факультете электронной техники Университета Буффало. В 2007 году он работал доцентом кафедры прикладных материалов и оптоэлектронной инженерии Национального университета Чи Нан, Тайвань, а в 2013 году был назначен профессором. Его текущие исследования в основном сосредоточены на фотонике, фототермоэлектронике, лазере. изготовление наноматериалов и лазерная спектроскопия.

Др.Сиу-Фунг Леунг получил докторскую степень в области нано-науки и технологий в Гонконгском университете науки и технологий, а в настоящее время является научным сотрудником Австралийского национального университета. Его исследовательские интересы связаны с функциональными наноматериалами и их применением в возобновляемых источниках энергии и функциональных покрытиях.

Юнг-Чи Сяо был аспирантом факультета материаловедения и инженерии Национального университета Чун Син, Тайвань. Его научным руководителем по магистерской диссертации был профессор Ин-Чжи Лай.Он получил степень магистра в 2018 году. Его предыдущие исследования были связаны с трибоэлектрическими наногенераторами (TENG) гибкой / растягиваемой / носимой электроникой.

По-Кай Кунг — аспирант Национального университета Ченг Кунг (NCKU) под руководством профессора Питера Чена. Он получил степень бакалавра (2014 г.) и магистра (2017 г.) в области материаловедения в NCKU. До того, как присоединиться к команде профессора Чена, он также был приглашенным научным сотрудником под руководством профессора младшего Хау Хи в Университете науки и технологий имени короля Абдаллы (KAUST).Во время учебы в магистратуре он проводил исследования по синтезу 2D-материалов и связанным с ним фотоэлектрическим приложениям. В настоящее время он занимается изучением бессвинцовых перовскитных солнечных элементов.

Д-р Ин-Чи Лай в настоящее время является доцентом кафедры материаловедения и инженерии в Национальном университете Чжун Син на Тайване. Он получил степень бакалавра наук. в области материаловедения и инженерии (специальность по электрофизике) от Национального университета Цзяо Дун и его магистра наук.и к.т.н. Имеет степень бакалавра электронной инженерии Национального университета Тайваня. Его исследовательские интересы включают датчики с автономным питанием, наногенераторы, электронные оболочки, мягкую робототехнику и гибкую / растягиваемую / носимую электронику.

Д-р Цзун-Хун Линь в настоящее время является доцентом Института биомедицинской инженерии и кафедры энергетического машиностроения Национального университета Цин Хуа. Его исследовательские интересы включают разработку высокопроизводительных наногенераторов с умной конструкцией, автономных систем в качестве биомедицинских датчиков и датчиков окружающей среды, высокоэффективных и стабильных катализаторов для электрохимических применений и функциональных наноматериалов для контролируемой антибактериальной активности.

Д-р Jr-Hau He — доцент кафедры электротехники в Университете науки и технологий имени короля Абдаллы (KAUST). Он был пионером в оптоэлектронике, что отражает его достижения в области управления фотонами в устройствах сбора света. Он провел весьма междисциплинарные исследования, чтобы устранить пробелы между различными областями исследований, а также между академическим сообществом и промышленностью. Он является членом OSA, RSC и SPIE, а также старшим членом IEEE.Посетите его веб-сайт для получения дополнительной информации (nanoenergy.kaust.edu.sa).

Д-р Хусам Н. Альшариф — профессор материаловедения и инженерии в KAUST. Проработав почти десять лет в полупроводниковой промышленности, он присоединился к KAUST в 2009 году, где он инициировал активную исследовательскую группу, работающую над разработкой неорганических наноматериалов для хранения энергии и новой электроники. Профессор Альшариф — член Королевского химического общества, заслуженный спикер IEEE в области нанотехнологий и старший член IEEE.

Доктор Халед Н. Салама получил степень магистра и доктора на факультете электротехники Стэнфордского университета. Его работа над КМОП-сенсорами для молекулярного обнаружения была удостоена премии Stanford-Berkeley Innovators Challenge в области биологических наук и была приобретена Lumina Inc. в 2008 году. В период с 2005 по 2008 год он был доцентом RPI. Он является профессором и членом-основателем кафедры. факультет электротехники в Университете науки и технологий имени короля Абдуаллаха.В настоящее время он является директором инициативы по сенсорным технологиям в KAUST. Он является соавтором 200 статей и 14 патентов по датчикам.

Проф. Чжун Линь Ван получил степень доктора философии. из Университета штата Аризона по физике. В настоящее время он является заведующим кафедрой материаловедения и инженерии в Хайтауэре, профессором Regents, заслуженным профессором инженерии и директором Центра определения характеристик наноструктур Технологического института Джорджии. Доктор Ван внес оригинальный и новаторский вклад в синтез, открытие, определение характеристик и понимание фундаментальных физических свойств оксидных нанолент и нанопроволок, а также в области применения нанопроволок в энергетике, электронике, оптоэлектронике и биологии.Его открытие и прорывы в разработке наногенераторов установили принцип и технологическую дорожную карту для сбора механической энергии из окружающей среды и биологических систем для питания персональной электроники. Его исследования наносистем с автономным питанием вдохновили всемирные научные круги и промышленность на изучение энергии для микросистем, что в настоящее время является отдельной дисциплиной в исследованиях энергетики и будущих сенсорных сетей. Он придумал и стал пионером в области пьезотроники и пьезофотроники, внедрив процесс контролируемого переноса заряда с пьезоэлектрическим потенциалом при производстве новых электронных и оптоэлектронных устройств.Подробности можно найти на сайте: http://www.nanoscience.gatech.edu.

Просмотреть полный текст

© 2019 Издатель Elsevier Ltd.

Библиотека изображений

Этот веб-сайт, включая любой дочерний сайт, доступный через главную страницу (совместно именуемый «Веб-сайт»), находится в ведении компании Carrier Global Corporation, ее дочерних компаний, аффилированных лиц и / или связанных лиц (совместно именуемых «Перевозчик»). Carrier предлагает вам и юридическому лицу, которое вы уполномочены представлять (далее «Вы» или «Ваш») этот веб-сайт, чтобы предоставить вам онлайн-доступ к информации о Carrier и его продуктах, услугах и возможностях.Эти Условия использования регулируют ваш доступ к Веб-сайту и его использование. ИСПОЛЬЗУЯ ВЕБ-САЙТ, ВЫ СОГЛАШАЕТЕСЬ С НАСТОЯЩИМИ УСЛОВИЯМИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ; ЕСЛИ ВЫ НЕ СОГЛАСНЫ, НЕ ИСПОЛЬЗУЙТЕ САЙТ.

Ограниченная лицензия

В соответствии с Условиями использования, изложенными в настоящем документе, и всеми применимыми местными законами и постановлениями, Перевозчик предоставляет Вам неисключительное, непередаваемое, личное, ограниченное право доступа, использования и отображения этого Веб-сайта и сопутствующих материалов и / или изучения о продуктах, услугах и возможностях Carrier.Это разрешение не является передачей права собственности на Веб-сайт и материалы, содержащиеся в нем, и подлежит следующим ограничениям: (1) Вы должны сохранять на всех копиях Веб-сайта и материалов все уведомления об авторских правах и другие уведомления о правах собственности; и (2) Вы не можете каким-либо образом изменять Веб-сайт или материалы, а также воспроизводить или публично демонстрировать, выполнять или распространять или иным образом использовать Веб-сайт и материалы для любых общественных целей, за исключением случаев, специально разрешенных в настоящем документе. Carrier не гарантирует и не заявляет, что использование вами материалов на этом веб-сайте не будет нарушать права третьих лиц, не связанных с Carrier.

Сохранение прав и собственности

Товарные знаки, логотипы и знаки обслуживания, отображаемые на этом веб-сайте, являются зарегистрированными и незарегистрированными товарными знаками компании Carrier, ее лицензиаров или поставщиков контента или других третьих лиц. Все эти товарные знаки, логотипы и знаки обслуживания являются собственностью соответствующих владельцев. Ничто на этом веб-сайте не может быть истолковано как предоставление, косвенно, в порядке судебного разбирательства или иным образом, какой-либо лицензии или права на использование любого товарного знака, логотипа или знака обслуживания, отображаемого на веб-сайте, без предварительного письменного разрешения владельца, за исключением случаев, описанных в настоящем документе.Компания Carrier оставляет за собой все права, не предоставленные явно в отношении Веб-сайта и его содержимого.

Заявление об отказе от ответственности

Информация, представленная на этом веб-сайте, предназначена только для информационных целей, предоставляется «как есть», и не должна использоваться или использоваться в качестве единственной основы для принятия решений без консультации с первичными, более точными, более полными или более своевременными источниками. информации. Хотя компания Carrier прилагает много усилий для обеспечения точности, полноты и актуальности информации и документов на этом веб-сайте, компания Carrier не делает никаких заявлений и не дает никаких гарантий в отношении этого веб-сайта или его содержимого.Вы полагаетесь на материалы этого сайта на свой страх и риск. Этот сайт может содержать определенную историческую информацию. Историческая информация не обязательно является актуальной и предоставляется только для справки.

Изменения

Carrier может время от времени пересматривать настоящие Условия использования. Изменения не будут иметь обратной силы, и самая последняя версия Условий использования, которая всегда будет размещена на Веб-сайте, будет регулировать отношения Перевозчика с Вами. Carrier попытается уведомить Вас о существенных изменениях; например, через служебное уведомление, размещенное на Сайте.Дальнейшее использование вами Веб-сайта означает ваше согласие с любыми такими изменениями. Вам следует периодически посещать эту страницу, чтобы просматривать текущие Условия использования.

Ограничения использования веб-сайта

При доступе к этому Веб-сайту и его использовании вы не можете:

1. использовать любое устройство, программу, алгоритм или методологию или любой аналогичный или эквивалентный ручной процесс для доступа, приобретения, копирования или мониторинга любой части Веб-сайта или любого Контента, или любым способом воспроизводить или обходить структуру навигации или представление Веб-сайт или любой Контент, чтобы получить или попытаться получить какие-либо материалы, документы или информацию любыми способами, которые специально не были доступны через Веб-сайт;
2. пытается получить несанкционированный доступ к любой части или функции Веб-сайта, или к любым другим системам или сетям, подключенным к Веб-сайту или к любому серверу Перевозчика, или к любой из услуг, предлагаемых на Веб-сайте или через Веб-сайт, путем взлома, «майнинга» »Или любыми другими незаконными средствами;
3. проверять, сканировать или тестировать уязвимость Веб-сайта или любой сети, подключенной к Веб-сайту, а также не нарушать меры безопасности или аутентификации на Веб-сайте или любой сети, подключенной к Веб-сайту;
4. обратный поиск, отслеживание или стремление отслеживать любую информацию о любом другом пользователе или посетителе Веб-сайта или любом другом клиенте Перевозчика, включая любую учетную запись Перевозчика, не принадлежащую Вам, до ее источника или использовать Веб-сайт или любой другой услуги или информация, предоставляемые или предлагаемые на Веб-сайте или через него, любым способом, целью которого является раскрытие любой информации, включая, помимо прочего, личную идентификацию или информацию, кроме Вашей собственной информации, как это предусмотрено Веб-сайтом.Вы соглашаетесь с тем, что не будете предпринимать никаких действий, которые налагают неоправданно или непропорционально большую нагрузку на инфраструктуру Веб-сайта или системы или сети Перевозчика, или любые системы или сети, подключенные к Веб-сайту или к Перевозчику;
5. использовать любое устройство, программное обеспечение или процедуру, чтобы помешать или попытаться помешать надлежащей работе Веб-сайта или любой транзакции, проводимой на Веб-сайте, или с использованием Веб-сайта любым другим лицом;
6. подделывать заголовки или иным образом манипулировать идентификаторами, чтобы скрыть происхождение любого сообщения или передачи, которые вы отправляете Перевозчику на Веб-сайте или через Веб-сайт или через любую услугу, предлагаемую на Веб-сайте или через Веб-сайт;
7. делать вид, что Вы являетесь или что Вы представляете кого-то еще, или выдаете себя за любое другое физическое или юридическое лицо;
8. использовать Веб-сайт или любой Контент для любых целей, которые являются незаконными или запрещенными настоящими Условиями использования, или для побуждения к выполнению любой незаконной деятельности или другой деятельности, которая нарушает права Перевозчика или других лиц;
9. использовать контактную информацию, указанную на Сайте, в неавторизованных целях, включая маркетинг;
10. использовать любое аппаратное или программное обеспечение, предназначенное для повреждения или вмешательства, или попытки нарушить нормальную работу Веб-сайта или тайно перехватить любую систему, данные или Личную информацию с Веб-сайта;
11. каким-либо образом прервать или попытаться прервать работу Веб-сайта.

Carrier оставляет за собой право по своему собственному усмотрению ограничить или прекратить Ваш доступ к Веб-сайту или его использование в любое время без предварительного уведомления. Прекращение вашего доступа или использования не приведет к отказу от любых других прав или средств защиты, на которые Перевозчик может иметь право по закону или по справедливости, и не повлияет на них.

Пользовательские материалы

Вы признаете, что несете ответственность за любой материал, который вы можете отправить через Веб-сайт, включая законность, надежность, уместность, оригинальность и авторские права на любой такой материал.Вы не можете загружать, распространять или иным образом публиковать через этот веб-сайт любой контент, который:

1. является конфиденциальным, служебным, ложным, мошенническим, клеветническим, дискредитирующим, непристойным, угрожающим, посягающим на неприкосновенность частной жизни или права на публичность, нарушающим права интеллектуальной собственности, оскорбительным, незаконным или иным образом нежелательным;
2. может составлять или поощрять уголовное преступление, нарушать права любой стороны или иным образом вызывать ответственность или нарушать какой-либо закон; или
3. может содержать программные вирусы, политические кампании, письма счастья, массовые рассылки или любую форму «спама».«

Если вы отправляете материал и если мы не укажем иное, вы предоставляете Carrier неограниченное, неисключительное, бесплатное, бессрочное, безотзывное и полностью сублицензируемое право на использование, воспроизведение, изменение, адаптацию, публикацию, перевод, создание производных работ на основе , распространять и отображать такие материалы по всему миру на любых носителях. Вы также соглашаетесь с тем, что компания Carrier может свободно использовать любые идеи, концепции или ноу-хау, которые вы или отдельные лица, действующие от вашего имени, предоставляете компании Carrier. Вы предоставляете компании Carrier право использовать указанное вами имя в связи с такими материалами, если они того пожелают.

Некоторые функции, которые могут быть доступны на этом веб-сайте, требуют регистрации и / или использования пароля. Вы несете ответственность за защиту своего пароля. Вы соглашаетесь с тем, что будете нести ответственность за все заявления, действия или бездействие, которые происходят в результате использования вашего пароля. Если у вас есть основания полагать или вам стало известно о какой-либо потере, краже или несанкционированном использовании вашего пароля, немедленно сообщите об этом Carrier.

Гиперссылки и сторонние сайты

Некоторые ссылки на веб-сайты, представленные на этом веб-сайте, запускают интернет-сайты, которые не находятся под контролем Carrier.Carrier предоставляет эти внешние ссылки исключительно для вашего удобства, и предоставление любой такой ссылки не является одобрением Carrier этого сайта или какого-либо содержимого, продуктов или услуг, содержащихся или предлагаемых на нем. Соответственно, Carrier не делает никаких заявлений и не дает никаких гарантий относительно доступности или содержания, включая дополнительные ссылки, на этих сайтах.

При регистрации, заказе или покупке продуктов или услуг у любой стороны, ссылка на которую указана на этом Веб-сайте, Вы заключаете соглашение с этой третьей стороной.В этих случаях вы должны ознакомиться и понять условия, опубликованные такой третьей стороной, ее политику конфиденциальности и политику использования файлов cookie, прежде чем регистрироваться, заказывать или совершать покупки. За исключением случаев, специально оговоренных в настоящем документе, Соглашение, указанное Перевозчиком в данном документе, не применяется в этих случаях. Carrier стремится поддерживать связь с компаниями, которые разделяют озабоченность Carrier в отношении конфиденциальности. Однако Carrier не может и не контролирует то, как эти стороны используют или собирают информацию или ведут свой бизнес.

Отказ от гарантий и ограничение ответственности

В СТЕПЕНИ, РАЗРЕШЕННОЙ ДЕЙСТВУЮЩИМ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВОМ, CARRIER ЯВНО ОТКАЗЫВАЕТСЯ ОТ ВСЕХ ГАРАНТИЙ, ЯВНЫХ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ, ВКЛЮЧАЯ, НЕ ОГРАНИЧИВАЯСЬ ​​ПОДРАЗУМЕВАЕМЫМИ ГАРАНТИЯМИ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ И ПРИГОДНОСТИ НАИМЕНОВАННОГО МАТЕРИАЛА ПРАВИЛЬНЫЕ, ТОЧНЫЕ, ПОЛЕЗНЫЕ, НАДЕЖНЫЕ ИЛИ НЕИНФОРМИРУЮЩИЕ, А ТАКЖЕ, КАК ГАРАНТИИ, ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ В РЕЗУЛЬТАТЕ ИСПОЛНЕНИЯ ИЛИ СДЕЛКИ; ЧТО ДОСТУП К ВЕБ-САЙТУ БУДЕТ БЕСПЕРЕБОЙНЫМ ИЛИ БЕЗОШИБОЧНЫМ; ЧТО ВЕБ-САЙТ БУДЕТ БЕЗОПАСНЫМ; ЧТО ВЕБ-САЙТ ИЛИ СЕРВЕР, ДЕЛАЮЩИЙ ВЕБ-САЙТ ДОСТУПНЫМ, БУДЕТ БЕЗ ВИРУСОВ; ИЛИ ЧТО ИНФОРМАЦИЯ НА САЙТЕ БУДЕТ ПОЛНОЙ, ТОЧНОЙ ИЛИ СВОЕВРЕМЕННЫМ.

ЕСЛИ ВЫ ЗАГРУЖАЕТЕ ЛЮБЫЕ МАТЕРИАЛЫ С ДАННОГО ВЕБ-САЙТА, ​​ВЫ ДЕЛАЕТЕ ЭТО НА СВОЕ СОБСТВЕННОЕ усмотрение и риск. ВЫ НЕСЕТЕ ИСКЛЮЧИТЕЛЬНУЮ ОТВЕТСТВЕННОСТЬ ЗА ЛЮБЫЕ УБЫТКИ ВАШЕЙ КОМПЬЮТЕРНОЙ СИСТЕМЕ ИЛИ ПОТЕРЮ ДАННЫХ, ЯВЛЯЮЩИЕСЯ РЕЗУЛЬТАТОМ ЗАГРУЗКИ ЛЮБЫХ ТАКИХ МАТЕРИАЛОВ.

ВЫ ПОДТВЕРЖДАЕТЕ И СОГЛАШАЕТЕСЬ, ЧТО ВЫ НЕСЕТЕ ПОЛНУЮ ОТВЕТСТВЕННОСТЬ ЗА ИСПОЛЬЗОВАНИЕ САЙТА. ВЫ ПОДТВЕРЖДАЕТЕ И СОГЛАШАЕТЕСЬ, ЧТО ЛЮБАЯ ИНФОРМАЦИЯ, ОТПРАВЛЯЕМАЯ ИЛИ ПОЛУЧЕННАЯ ВО ВРЕМЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ВЕБ-САЙТА, ​​МОЖЕТ БЫТЬ НЕ БЕЗОПАСНОЙ И МОЖЕТ БЫТЬ ПЕРЕХРАНЕНА НЕАВТОРИЗОВАННЫМИ СТОРОНАМИ.ВЫ ПОДТВЕРЖДАЕТЕ И СОГЛАШАЕТЕСЬ, ЧТО ВЫ ИСПОЛЬЗУЕТЕ ВЕБ-САЙТ НА СВОЙ СОБСТВЕННЫЙ РИСК И ЧТО ВЕБ-САЙТ ПРЕДОСТАВЛЯЕТСЯ ВАМ БЕСПЛАТНО. ПРИЗНАВАЯ ТАКОЕ, ВЫ ПОДТВЕРЖДАЕТЕ И СОГЛАШАЕТЕСЬ, ЧТО В ПОЛНОЙ СТЕПЕНИ, РАЗРЕШЕННОЙ ПРИМЕНИМЫМ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВОМ, НИ ПЕРЕВОЗЧИК, ИЛИ ЕГО ПОСТАВЩИКИ, ИЛИ ПОСТАВЩИКИ КОНТЕНТА ТРЕТЬИХ СТОРОН НЕ НЕСЕТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ЗА ЛЮБОЙ ПРЯМОЙ, КОСВЕННЫЙ ОТВЕТ КОРРУПЦИЯ, ОТКАЗ ЛИНИИ СВЯЗИ, ВЫКЛЮЧЕНИЕ СЕТИ ИЛИ СИСТЕМЫ, ПОТЕРЯ ПРИБЫЛИ ИЛИ КРАЖА, УНИЧТОЖЕНИЕ, НЕСАНКЦИОНИРОВАННЫЙ ДОСТУП, ИЗМЕНЕНИЕ, ПОТЕРЯ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЛЮБОЙ ЗАПИСИ ИЛИ ДАННЫХ), КАЧЕСТВЕННАЯ, ДРУГАЯ, СЛУЧАЙНАЯ, СЛУЧАЙНАЯ ИЛИ КОСВЕННАЯ, ОСОБЕННАЯ УБЫТКИ, ВОЗНИКАЮЩИЕ ИЛИ СВЯЗАННЫЕ С ВЕБ-САЙТОМ ИЛИ ЛЮБЫМ ДРУГИМ САЙТОМ, К КОТОРОЙ ВЫ ДОСТУПНЫ ПО ССЫЛКЕ С ДАННОГО ВЕБ-САЙТА, ​​ИЛИ В результате ЛЮБЫХ ДЕЙСТВИЙ, ПРИНЯТЫХ ИЛИ НЕПРАВИЛЬНЫХ ДЕЙСТВИЯХ В РЕЗУЛЬТАТЕ СООБЩЕНИЙ, КОТОРЫЕ ВЫ ОТПРАВЛЯЕТЕ НА ПЕРЕВОЗКУ, ИЛИ ЗАДЕРЖКА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ВЕБ-САЙТА ИЛИ ДЛЯ ЛЮБОЙ ИНФОРМАЦИИ, ПРОДУКТОВ ИЛИ УСЛУГ, РЕКЛАМИРУЕМЫХ ИЛИ ПОЛУЧЕННЫХ С ПОМОЩЬЮ ВЕБ-САЙТА, ​​УДАЛЕНИЕ ИЛИ УДАЛЕНИЕ ЛЮБЫХ МАТЕРИАЛОВ, ПРЕДСТАВЛЕННЫХ ИЛИ РАЗМЕЩЕННЫХ НА ВЕБ-САЙТЕ, ИЛИ ИНАЧЕ, ВОЗНИКАЮЩИЕ ИХ E ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ВЕБ-САЙТА, ​​ОСНОВАННОЕ НА КОНТРАКТЕ, ПРАВИЛАХ, СТРОГОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ИЛИ ИНЫМ ОБРАЗОМ, ДАЖЕ ЕСЛИ ПЕРЕВОЗЧИК ИЛИ ЛЮБОЙ ИЗ ЕГО ПОСТАВЩИК ПРЕДУПРЕЖДЕН О ВОЗМОЖНОСТИ УЩЕРБА.

Компенсация

Вы соглашаетесь освободить Carrier и их должностных лиц, директоров, акционеров, сотрудников, подрядчиков, агентов, лицензиаров, поставщиков услуг, субподрядчиков и поставщиков от любых требований, убытков, ответственности, претензий или расходов (включая гонорары адвокатам). против Carrier со стороны любой третьей стороны из-за или в связи с использованием вами Веб-сайта и контента, который вы предоставляете, а также с любым нарушением настоящих Условий использования.

Если вы вызываете техническое нарушение работы Веб-сайта или систем, передающих Веб-сайт вам или другим лицам, вы соглашаетесь нести ответственность за любые и все убытки, обязательства, расходы, убытки и издержки, включая разумные гонорары адвокатам и судебные издержки, возникающие или в результате этого сбоя.Carrier оставляет за собой право за свой счет принять на себя исключительную защиту и контроль над любым вопросом, который в противном случае подлежал возмещению с вашей стороны, и в таком случае вы соглашаетесь сотрудничать с Carrier в защите такого вопроса.

Применимое право и юрисдикция

Этот веб-сайт обслуживается и контролируется компанией Carrier в штате Флорида, Соединенные Штаты Америки. Carrier не делает никаких заявлений о том, что материалы на этом веб-сайте подходят или доступны для использования в других местах за пределами США, и доступ к этому веб-сайту с территорий, где содержимое этого веб-сайта является незаконным, запрещен.Если вы заходите на этот веб-сайт из мест за пределами США, вы несете ответственность за соблюдение всех местных законов. Законы штата Флорида регулируют содержание и использование этого веб-сайта без учета каких-либо принципов или норм коллизионного права.

Последнее обновление: 25 марта 2020 г.

Полная сверхбыстрая динамика носителей заряда в фотовозбужденных полностью неорганических нанокристаллах перовскита (CsPbX3)

Понимание природы и динамики фотоиндуцированных переходных процессов полностью неорганических нанокристаллов перовскита (НК) является ключом к их использованию в потенциальных приложениях.Для определения природы носителей заряда, путей их дезактивации и динамики использовались фотоиндуцированные переходные процессы CsPbBr ₃ , CsPbBr ₂ I, CsPbBr _1,5 I _{1,5 и} CsPbI ₃ NC характеризуются спектрально и временно с использованием комбинации методов фемтосекундного переходного поглощения (TA) и фотолюминесценции (PL) с повышающим преобразованием и глобального анализа данных.Результаты обеспечивают отличную идентичность экситонов и свободных носителей заряда и позволяют отличить горячие носители заряда от холодных. Захват носителей приписывается электронам, и их динамика не изменяется в смешанных галогенидных перовскитах. Зависимость динамики ТА от энергии возбуждения позволяет предположить, что состояния ловушек неглубокие по своей природе и в основном ограничены вблизи краевого уровня зоны. В смешанных галогенидных перовскитах увеличение содержания йода приводит к захвату дырок за короткий промежуток времени (<5 пс).Выводы, полученные в результате этого исследования, вероятно, будут полезны для настройки фотоотклика этих веществ и их лучшего использования в световых приложениях.

У вас есть доступ к этой статье

Подождите, пока мы загрузим ваш контент…

Что-то пошло не так. Попробуй снова?

Динамика переноса фотоносителей во время жизни и режимы релаксации полупроводников, содержащих ловушки

Понимание связи между динамикой переноса фотоносителей и электрическими свойствами материала играет ключевую роль в оптимизации характеристик различных фотоэлектрических устройств.Например, высокое удельное сопротивление является важным требованием для полупроводников, используемых в определенных приложениях, таких как детекторы излучения [1] и фотопроводящие переключатели [2]. Однако полупроводник с высоким удельным сопротивлением может демонстрировать в целом поведение переноса носителей, отличное от поведения полупроводника с низким удельным сопротивлением. В 1960-х годах, чтобы интерпретировать разницу, ван Роосбрук предложил концепции «релаксационного режима» (или «релаксационный полупроводник») и «режима времени жизни» (или «время жизни полупроводника») [3, 4].Время диэлектрической релаксации [5] больше, чем время жизни носителей [6] в релаксационных полупроводниках, и меньше времени жизни в полупроводниках. Поскольку время диэлектрической релаксации пропорционально удельному сопротивлению, релаксационные полупроводники обычно обладают высоким сопротивлением и демонстрируют несколько новых явлений переноса, включая истощение основных носителей заряда, вызванное инжекцией неосновных носителей [7, 8], квазиомические вольт-амперные характеристики в широком диапазоне напряжений. пробег [9, 10] и пространственное разделение фотогенерированных электронов и дырок [11].С другой стороны, полупроводники на время жизни обычно имеют низкое удельное сопротивление [12] и демонстрируют явление амбиполярного переноса [13, 14], то есть перенос фотогенерированных электронов и дырок вместе с промежуточной эффективной дрейфовой подвижностью и коэффициентом диффузии.

При комнатной температуре высокое удельное сопротивление в большинстве сложных релаксационных полупроводников достигается за счет электрической компенсации дефектов глубокого уровня. Блан и Вайсберг [15] впервые предложили модель компенсации с тремя уровнями энергии (два противоположных мелких уровня и глубокий донорный уровень) для интерпретации возникновения GaAs с высоким сопротивлением.Затем аналогичные модели были приняты для полуизолирующих соединений II – VI [16]. Например, CdTe с удельным сопротивлением порядка 10 ⁹ Ом · см широко используется в детекторах рентгеновского излучения при комнатной температуре [17]. Механизм достижения такого высокого сопротивления просто путем точной компенсации мелких примесей может быть исключен из-за технических трудностей, поэтому компенсация за счет глубоких донорных уровней, в основном антиструктур Te (Te _Cd ), обычно принимается для интерпретации высокого сопротивления [ 18, 19].Помимо удельного сопротивления и связанного с ним времени диэлектрической релаксации, дефекты глубоких уровней также определяют процесс рекомбинации носителей и, следовательно, время их жизни [20]. Для эффективной компенсации дефекты глубокого уровня должны располагаться вблизи собственного уровня Ферми, поэтому они также являются эффективными ловушками, которые значительно сокращают время жизни за счет рекомбинации, опосредованной дефектами [21, 22]. Например, в солнечных элементах CdTe доказано, что антиузлы Te являются доминирующими центрами рекомбинации, ограничивающими время жизни неосновных носителей заряда [23].

Динамика переноса фотоносителей в режимах жизни и релаксации полупроводников вызвала в последнее время значительный исследовательский интерес. Разделение фотоносителей наблюдалось в гидрированном аморфном кремнии [24]. Теоретически доказано, что в полупроводниках без ловушек локально-фотогенерированные электроны и дырки будут переноситься амбиполярно в режиме времени жизни и пространственно разделяться в режиме релаксации [25]. Однако реальные материалы, особенно сложные полупроводники с высоким сопротивлением, действительно содержат ловушки, возникающие из дефектов глубокого уровня, которые могут заметно изменить поведение переноса носителей [6].Например, изменение состояний ионизации ловушки может привести к значительным объемным зарядам, которые влияют на динамику переноса фотоносителей [26]. Кроме того, поскольку дефекты глубокого уровня напрямую связаны как со временем жизни носителей заряда, так и с временем диэлектрической релаксации, они могут изменить критерий, разделяющий релаксацию и время жизни полупроводников [27, 28]. В данной работе численно исследуется одномерная динамика транспорта носителей в полупроводниках, содержащих ловушки. После введения в материал высоких концентраций ловушек времена жизни большинства и неосновных носителей заряда не равны, поэтому возникает новый промежуточный режим, в котором время диэлектрической релаксации находится между двумя временами жизни.Моделируется пространственно-временная эволюция фотогенерированных носителей в режиме времени жизни, релаксации и промежуточном режиме. В качестве приложения критерий для различных режимов исследуется для материала CdTe с глубокой донорной компенсацией.

В этой статье время жизни носителей рассчитывается с помощью механизма захвата. Если концентрация основных носителей заряда намного больше концентрации ловушки, изменением плотности заряженной ловушки можно пренебречь. Избыточные концентрации электронов и дырок всегда равны для сохранения зарядовой нейтральности [25].В этом случае время жизни носителей τ ₀ можно просто рассчитать по [21]

, где n ₀ и p ₀ — концентрации равновесных электронов и дырок, n ₁ и p ₁ — концентрации электронов и дырок, когда уровень Ферми совпадает с уровнем энергии дефекта, τ _{n 0} = 1/ σ _n v _t N _t и τ _{p 0} = 1/ σ _p v _t 9048 _{n , p} — сечения захвата электронов и дырок, v _t — тепловая скорость и N _{t 9048 2} — концентрация ловушки.Однако, если полупроводник содержит гораздо большее количество ловушек по сравнению с концентрацией свободных носителей, изменение плотности заряженных ловушек может привести к неравным избыточным концентрациям электронов и дырок. В этом условии времена жизни электронов и дырок излишне равны, как указано в [21]

. Очевидно, что если оба времени жизни уменьшатся до уравнения (1). С другой стороны, время диэлектрической релаксации τ _D , которое пропорционально удельному сопротивлению, определяется как [29]

, где ε — диэлектрическая проницаемость, ρ — удельное сопротивление, q заряд электрона и подвижности носителей.

Время диэлектрической релаксации и время жизни характеризуют различные пути восстановления равновесия [26] после нарушения концентрации носителей заряда. Время диэлектрической релаксации определяет скорость восстановления нейтральности пространственного заряда за счет вытягивания потока свободных носителей за счет кулоновских взаимодействий. Время жизни определяет временные рамки достижения закона действия массы () [30] путем рекомбинации или генерации носителей. В полупроводниках с длительным сроком службы локальные сетчатые заряды будут быстро уравновешиваться потоками зарядов, поэтому можно предположить, что материал обладает зарядовой нейтральностью в пространстве и времени.Напротив, зарядовая нейтральность в релаксационных полупроводниках больше не сохраняется, и объемные заряды значительно изменяют поведение переноса носителей. В результате время жизни и релаксационные полупроводники различаются динамикой переноса носителей. Для полупроводников, содержащих один моновалентный уровень захвата, нормализованные одномерные уравнения переноса могут быть записаны как [27]

, где нормализации равны x = XL _Dn , t _real = tτ _Dn «, с τ _Dn = ε / qμ _n n ₀ и определенное время диэлектрической релаксации и равновесная длина электроны.Следовательно, Δ N , Δ P и P ₀ являются нормированными концентрациями избыточных электронов, избыточных дырок и дырок, находящихся в тепловом равновесии соответственно. Для простоты предположим, что подвижности электронов и дырок равны. В уравнении (6) A _n = τ _Dn / τ _{n 0} и A _p 2 / τ _{p 0} , которые можно рассматривать как константы для низкого уровня инжекции относительно равновесной концентрации основных носителей заряда, M — концентрация ловушек, заполненных электронами, нормированная на n ₀ , — скорость захвата ловушкой для электронов и дырок, которую можно записать как

с нормализацией, и. N _t — общая концентрация ловушки, а M ₀ — ее нормализованное значение. При моделировании мы в основном рассматриваем полупроводники n-типа с ловушками донорного типа, то есть ловушка имеет положительное и нейтральное состояние (0, +). Следовательно, уравнение Пуассона может быть выражено как

, где M _e представляет собой значение M в состоянии равновесия. При моделировании уровень ловушки устанавливается на наиболее эффективный уровень рекомбинации, т.е.е. собственный уровень Ферми E _i , и как электроны, так и дырки могут быть захвачены и повторно захвачены ловушкой. Фотоносители создаются в середине одномерного устройства ( X = 0). Начальный профиль фотоносителя имеет форму Гаусса со стандартным отклонением, равным 1 × 10 ⁻⁶ , что является результатом импульса генерации оптического пятна. Максимальная концентрация фотоносителя установлена ​​на n ₀ /10 ⁶ (max [Δ N (t = 0)] = 1 × 10 ⁻⁶ ), поэтому уровень впрыска невелик, чтобы гарантировать нанесение. электрическое поле не экранируется возбужденными и захваченными зарядами и параметрами ( τ _Dn , L _Dn , A _n , A _{32 p μ n} , μ _p ) не зависят от возбуждения.Динамика носителей регулируется уравнениями (4) — (9) в полупроводниках, содержащих ловушки, которые решаются методом конечных элементов (МКЭ).

3.1. Режим релаксации

Моделирование эволюции избыточной концентрации заряда заполненной ловушки −Δ M = — ( M — M _e ) и избыточных концентраций носителей Δ N и Δ P в материале n-типа () показан на рисунке 1. В моделировании A _n и A _p установлены на 5, поэтому оба τ _n и τ _p меньше, чем τ _Dn , что приблизительно равно τ _D в полупроводнике n-типа.В результате полупроводник находится в режиме релаксации. Время от 0,1 до 1,0 τ _Dn после возбуждения с интервалом 0,1 τ _Dn . Все концентрации нормированы на максимум Δ N при t = 0, а приложенное электрическое поле E ₀ равно 5. Фотогенерированные электроны и дырки разделяются после возбуждения, как и ожидалось. На рисунке 1 (а) концентрация ловушки намного меньше, чем концентрация основных носителей заряда ().Поэтому объемный заряд ионизированных ловушек в процессе транспортировки фотоносителей пренебрежимо мал. Истощение основных носителей заряда, как показано в пунктирной рамке, также может наблюдаться в этой ситуации. С другой стороны, на рисунке 1 (b) концентрация ловушки больше, чем концентрация основных носителей (). В этом случае значительное количество ловушек оказывает сильное влияние на динамику фотоносителя двумя способами. Во-первых, большое количество фотогенерированных носителей улавливается ловушками на пути дрейфа, а не при быстрой рекомбинации.В результате ловушки с высокой концентрацией в материале служат «буфером» для хранения фотоносителей и значительно снижают чистую скорость рекомбинации. Поскольку истощение основных носителей заряда (в данном случае электронов) в полупроводнике без ловушек происходит из-за высокой скорости рекомбинации в области пика неосновных носителей [25], истощение значительно ослабляется в материале с преобладанием ловушек, как показано на рисунке 1 ( б). Следует отметить, что влияние захваченного заряда на установившуюся инжекцию неосновных носителей заряда, т.е.грамм. в p – i – n-диоде с прямым смещением и связанное с ним явление истощения основных носителей заряда широко изучалось как теоретически, так и экспериментально. Например, численное моделирование [27] показывает, что ловушки как места накопления заряда снижают тенденцию к истощению основных носителей заряда в режиме релаксации, что хорошо согласуется с экспериментальными вольт-амперными ( I — В ) характеристиками Полуизолирующие GaAs диоды с преобладанием ловушек [31, 32]. Во-вторых, захваченные дырки вносят вклад в положительные объемные заряды в области пика дырок, а захваченные электроны вносят вклад в отрицательные.Эти объемные заряды увеличивают внутреннее электрическое поле между двумя пиками фотоносителей, что приводит к более медленной пиковой скорости переноса по сравнению с материалом без ловушек. Несмотря на высокую концентрацию ловушек, разброс импульсов фотоносителей из-за диффузии носителей такой же, как на рисунках 1 (а) и (б), поскольку кулоновское притяжение слабое в режиме релаксации [25]. На рисунке 2 показана эволюция положения гребня фотоносителя после возбуждения в полупроводниках без ловушек и с преобладанием ловушек, что соответствует рисунку 1.Положения гребней в основном растут линейно, но в случае отсутствия ловушек длина дрейфа гребней профиля фотоносителей примерно в 1,2 раза больше, чем в случае преобладания ловушек. τ _Dn после возбуждения. В результате высокая концентрация захваченных объемных зарядов может значительно снизить скорости дрейфа как избыточных электронных, так и дырочных пиков. Этот эффект можно наблюдать и в других режимах полупроводников, содержащих высокую концентрацию ловушек.

Увеличить

Уменьшить

Сбросить размер изображения

Рис. 1. Эволюция избыточной концентрации заряда заполненной ловушки —Δ M = — ( M — M _e ), а также избыточных концентраций носителей Δ N и Δ P в релаксационном режим с (а) низкой концентрацией ловушек и (б) высокой концентрацией ловушек. В моделировании P ₀ = 0.1 N ₀ , A _n = A _p = 5, E ₀ = 5 и время от 0,1 до 1,0 τ Dn после возбуждения с интервалом 0,1 τ _Dn .

Загрузить рисунок:

Стандартный образ
Изображение высокого разрешения

Увеличить

Уменьшить

Сбросить размер изображения

Рисунок 2. Эволюция положения гребня фотоносителя после возбуждения в полупроводниках без ловушек и с преобладанием ловушек, в соответствии с рисунком 1.

Загрузить рисунок:

Стандартное изображение
Изображение высокого разрешения

3.2. Режим срока службы

Смоделированная эволюция Δ N и Δ P в режиме срока службы показана на рисунке 3. В моделировании используется материал n-типа () с высокой концентрацией ловушек (). Время от 0,2 до 2,0 τ _Dn после возбуждения с интервалом 0.2 τ _Dn . Все концентрации нормированы на максимум Δ N при t = 0, а приложенное электрическое поле E ₀ равно 2. На рисунке 3 (а) A _n = A _p = 1, таким образом, τ _n = 3,19 τ _Dn и τ _p = 1,41 скорости избыточных электронов и дырок аналогичны.Захваченные электроны образуют область отрицательного пространственного заряда слева от пятна инжекции, а захваченные дырки образуют положительную область справа. Несмотря на объемные заряды, индуцированные ловушками, динамика фотоносителей подобна динамике в режиме жизни полупроводника без ловушек. Фотогенерированные электроны как основные носители в конечном итоге дрейфуют вслед за неосновными носителями, как показано стрелкой. Этот разделяющий амбиполярный процесс переноса показывает, что член дрейфового тока, связанный с внутренним электрическим полем, может преодолеть член, связанный с внешним электрическим полем [25].

Увеличить

Уменьшить

Сбросить размер изображения

Рис. 3. Эволюция избыточной концентрации заряда заполненной ловушки −Δ M = — ( M — M _e ) и избыточных концентраций носителей Δ N и Δ P за время жизни режим с (а) аналогичными эффектами ловушки как для электронов, так и для дырок, и (б) более сильным эффектом ловушки для дырок. В моделировании P ₀ = 0.1 N ₀ , M ₀ = 10 N ₀ , E ₀ = 2, а время составляет от 0,2 до 2,0 τ _Dn после возбуждение с интервалом 0,2 τ _Dn .

Загрузить рисунок:

Стандартный образ
Изображение высокого разрешения

Однако захваченные заряды изменяют динамику фотоносителей в режиме времени жизни, особенно в случае сильного захвата неосновных носителей заряда.На рисунке 3 (b), A _p в 100 раз больше, чем A _n , поэтому скорость захвата для избыточных дырок намного больше, чем для электронов. Из-за значительного эффекта захвата избыточная концентрация дырок быстро уменьшается после возбуждения и превращается в большое количество захваченных положительных зарядов, что оказывает большое влияние на процесс переноса фотогенерированных электронов. В начале процесса переноса электроны стремятся дрейфовать в электрическом поле.Однако, поскольку материал находится в режиме срока службы, положительные захваченные заряды сильно притягивают фотогенерированные электроны. В результате большая часть избыточных электронов остается на месте инжекции. Эту процедуру можно по-прежнему рассматривать как процесс разделения-амбиполярного переноса, за исключением того, что он возникает из-за внутреннего электрического поля между свободным и захваченным зарядами, а не из двух импульсов мобильных фотоносителей. Кроме того, сильный эффект кулоновского притяжения также приводит к значительному разбросу фотогенерированных электронов, в то время как разброс фотогенерированных дырок сильно ослабляется из-за большой скорости захвата дырок.

3.3. Промежуточный режим

Время жизни электронов и дырок в полупроводниках с преобладанием ловушек различается, поэтому возникает новый промежуточный режим , когда время диэлектрической релаксации находится между двумя временами жизни. Рисунок 4 иллюстрирует эволюцию −Δ M , Δ N и Δ P в двух типичных ситуациях, т.е. и τ _p > τ _Dn > τ _n .В моделировании используется материал n-типа () с преобладанием ловушек (). Время от 0,2 до 2,0 τ _Dn после возбуждения с интервалом 0,2 τ _Dn . Все концентрации нормированы на максимум Δ N при t = 0, а приложенное электрическое поле E ₀ равно 2. На рисунке 4 (а) A _n = A _p = 2, таким образом, τ _n > τ _Dn > τ _p .Фотогенерированные дырки дрейфуют вдоль приложенного электрического поля к катоду, в то время как избыточные электроны дрейфуют вслед за дырками после разделяюще-амбиполярного перехода. В этом случае динамика переноса фотоносителей в основном аналогична случаю режима срока службы, показанного на рисунке 3 (а), хотя τ _p меньше, чем τ _Dn . На рисунке 4 (b), A _n = 20 и A _p = 1, таким образом, τ _p > τ _Dn > _№ .Поскольку скорость захвата электронов очень велика, фотогенерированные электроны быстро захватываются после инжекции, создавая значительную область отрицательного заряда в пятне инжекции. Несмотря на значительную область отрицательного заряда, фотогенерированные дырки по-прежнему дрейфуют к катоду, поэтому фотоносители разделяются приложенным электрическим полем.

Увеличить

Уменьшить

Сбросить размер изображения

Рис. 4. Эволюция избыточной концентрации заряда заполненной ловушки −Δ M = — ( M — M _e ) и избыточных концентраций носителей Δ N и Δ P , когда (a ) τ _p < τ _Dn < τ _n , и (б) τ _n < τ _p .В моделировании P ₀ = 0,1 N ₀ , M ₀ = 10 N ₀ , E ₀ = 2, а время составляет от 0,2 до 2,0 τ _Dn после возбуждения с интервалом 0,2 τ _Dn .

Загрузить рисунок:

Стандартный образ
Изображение высокого разрешения

Моделирование динамики переноса фотоносителей показывает, что промежуточный режим можно рассматривать как то, что один вид носителей ведет себя как в режиме времени жизни, а другой — как в режиме релаксации.На рисунке 4 (а) избыточные дырки ведут себя как в режиме релаксации, поэтому они дрейфуют по электрическому полю после инжекции. Напротив, избыточные электроны ведут себя как в режиме времени жизни. Сильное кулоновское притяжение между двумя импульсами вызывает разделительно-амбиполярный переход электронов как основных носителей. На рисунке 4 (b) избыточные дырки ведут себя как в режиме срока службы. Поскольку полупроводник n-типа, дырки как неосновные носители по-прежнему дрейфуют на катод. С другой стороны, избыточные электроны дрейфуют к аноду, что соответствует динамике переноса электронов в режиме релаксации.Кроме того, сильный эффект захвата уменьшает явление истощения большей части, а отрицательные объемные заряды уменьшают пиковую скорость дрейфа дырок. Несмотря на направления переноса, следует отметить, что поведение фотоносителей при разлете в промежуточном режиме может отличаться от такового в других режимах. На рисунке 4 (а) эффект захвата является умеренным, поэтому распространение избыточных электронов и дырок аналогично соответствующим режимам, как на рисунках 1 (а) и 3 (а). Однако сильный захват электронов, как на рисунке 4 (b), ослабляет разброс избыточных электронов по сравнению с рисунком 1 (b), но на распространение избыточных дырок в основном не влияют захваченные отрицательные заряды, что отличается от случая электронов. в режиме срока службы, как на рисунке 3 (b).

3.4. Применение к материалам CdTe

CdTe и родственный CdZnTe долгое время считались наиболее многообещающими материалами, используемыми для обнаружения при комнатной температуре X / γ -луча [17]. В качестве детекторов излучения полупроводник должен находиться в режиме релаксации, чтобы разделять генерируемые излучением электроны и дырки под действием приложенного электрического поля [25]. Учитывая тот факт, что время жизни носителей должно быть намного больше времени прохождения носителей через устройство для достижения полного сбора заряда, для кристаллов CdTe, используемых в качестве детекторов излучения, необходимо высокое сопротивление и, следовательно, большое время диэлектрической релаксации.Широко признано, что высокое удельное сопротивление CdTe достигается за счет компенсации с участием глубоких донорных уровней [18], в основном антиструктур Te (Te _Cd ). В результате здесь мы используем модель компенсации трех уровней энергии, т.е. мелкий донор, мелкий акцептор и глубокий донор, с концентрациями N _d , N _a и N _t соответственно. Можно предположить, что два мелких уровня полностью ионизированы при комнатной температуре, в то время как скорость заполнения глубокого донора сильно варьируется в зависимости от коэффициента компенсации.Поскольку время жизни носителей в детекторном CdTe составляет несколько мкм с, концентрацию глубоких доноров можно оценить [17, 33] порядка 10 ¹² см ⁻³ для типичных сечений захвата электронов и дырок σ _{n , p} .

Вычислено τ _D , τ _n и τ _p в CdTe как функция от N a — N _d ) показано на рисунке 5.Используемые параметры: N _a –N _d = 1 × 10 ¹² см ⁻³ , σ _n = 1 × −13 см ² и σ _p = 1 × 10 ⁻¹⁴ см ² , которые извлечены из экспериментальных результатов [18]. Полупроводник имеет низкое удельное сопротивление p-типа в диапазоне N _t / ( N _a — N _d ) <1.При введении более глубоких доноров происходит инверсия типов при N _t / ( N _a — N _d ) ≈ 1. После этого CdTe сверхкомпенсируется и превращается в высокоомный полупроводник n-типа. Очевидно, что компенсация глубокими уровнями очень эффективна, потому что высокое удельное сопротивление сохраняется даже в умеренной перекомпенсированной ситуации [34]. С другой стороны, глубокие уровни также могут быть эффективными центрами рекомбинации, которые значительно сокращают время жизни носителей.Из рисунка 5, если и таким образом, несоответствие между τ _n и τ _p мало, и их можно заменить на τ ₀ . При увеличении концентрации ловушек, τ _n и τ _p начинают разделяться после N _t > n ₀ + p 32 9013. Вблизи точки инверсии типа τ _n продолжает уменьшаться, а τ _p достигает своего максимума.После инверсии типа τ _p продолжает уменьшаться с увеличением коэффициента компенсации, в то время как τ _n в основном остается постоянным.

Увеличить

Уменьшить

Сбросить размер изображения

Рис. 5. Расчетное время диэлектрической релаксации τ _D и время жизни электронов и дырок τ _{n , p} в CdTe в зависимости от коэффициента компенсации N _t / ( N _a — N _d ).Используемые параметры: N _a — N _d = 1 × 10 ¹² см ⁻³ , σ _n = 1 × −13 см ² и σ _p = 1 × 10 ⁻¹⁴ см ² .

Загрузить рисунок:

Стандартный образ
Изображение высокого разрешения

Коэффициент компенсации влияет как на время диэлектрической релаксации, так и на время жизни, поэтому критерий полупроводниковых режимов становится более сложным в CdTe с глубокой компенсацией доноров, чем в материалах без ловушек.На рисунке 6 показаны полупроводники CdTe, удовлетворяющие τ _D > τ _n или τ _D > τ _{p сечения захвата как поперечных сечений-} . На рисунке 6 (a) N _t / ( N _a — N _d ) = 0,1, поэтому CdTe имеет низкое удельное сопротивление. Однако материал все еще может быть релаксационным полупроводником, если время жизни носителей достаточно мало с очень большим σ _{n , p} .Когда N _t / ( N _a — N _d ) = 1, τ _p достигает своего пикового значения около коэффициента компенсации инверсии типа, что становится основным ограничением для CdTe как релаксационного полупроводника. В результате в этом случае появляется большой τ _p > τ _D > τ _n промежуточный режим, как показано на рисунках 6 (б).На рис. 6 (c) и (d) CdTe чрезмерно компенсируется с увеличением коэффициента компенсации, но область τ _D > τ _p остается аналогичной, поэтому область почти не имеет значения. к σ _n . С другой стороны, когда N _t / ( N _a — N _d ) поднимается, область τ _D > n требует большего σ _n из-за уменьшения τ _D и постоянной τ _n , как показано на рисунке 5.Следует отметить, что для детекторов излучения CdTe большая длина дрейфа носителей, определяемая как произведение подвижности носителей, времени жизни и напряженности электрического поля, является существенной для полного сбора заряда. В результате получение релаксационного полупроводника за счет очень короткого времени жизни в сильно легированном CdTe не является предпочтительным. Кроме того, хотя глубокие доноры, расположенные около середины запрещенной зоны, являются эффективными уровнями компенсации, они также являются эффективными центрами рекомбинации, сокращающими время жизни носителей. В общем, существует компромисс между компенсацией и рекомбинацией.

Увеличить

Уменьшить

Сбросить размер изображения

Рисунок 6. Полупроводниковые режимы CdTe, удовлетворяющие τ _D > τ _n или τ _D > сечений захвата ловушки σ _{n , p} , где N _a — N _d = 1 × 10 ¹² см ^{и −3 N _t / ( N _a — N _d ) равно (a) 0.1, 1 (б), 10 (в) и 100 (г).}

Загрузить рисунок:

Стандартное изображение
Изображение высокого разрешения

Моделируемая эволюция фотоносителя также проверяет критерий режимов релаксации и времени жизни в CdTe с компенсацией глубоких доноров, как показано на рисунке 7. Время от до после возбуждения с интервалом. Фотоносители создаются в середине одномерного устройства ( x = 0). Начальное распределение инжектированных электронов и дырок представляет собой импульс гауссовой формы со стандартным отклонением 1 мкм м и максимальной концентрацией 1 × 10 ⁵ см ⁻³ .Устройство достаточно велико, поэтому впрыск можно рассматривать как небольшое локальное возмущение, при котором динамику носителя можно моделировать с помощью уравнений (4) — (9). Избыточные концентрации носителей нормированы на максимум Δ n при t = 0, а приложенное электрическое поле E ₀ равно 1000 В см ^-1 . На рисунке 7 (a) материал p-типа с низким удельным сопротивлением и в режиме срока службы с N _t / ( N _a — N _d ) = 0.1. Избыточные дырки дрейфуют вслед за электронами после инжекции, т.е. фотоносители перемещаются амбиполярно, что аналогично случаю на рисунке 3 (а). Кроме того, можно наблюдать двугорбое распределение дырок и разделяющую амбиполярную динамику переноса. Амбиполярный транспорт использовался для измерения подвижности неосновных носителей в HgCdTe инфракрасных фотопроводящих детекторах с низким сопротивлением [35]. Напротив, если CdTe скомпенсирован до высокого удельного сопротивления ( N _t / ( N _a — N _d ) = 2), как показано на рисунке 7 (b), материал находится в релаксационном режиме.Избыточные электроны и дырки отделяются после инжекции, то есть электроны дрейфуют к аноду, а дырки дрейфуют к катоду, что аналогично случаю на рисунке 1 (b). Обратите внимание, что в CdTe μ _n примерно в 10 раз больше, чем μ _p (1000 против 80 см ² V ⁻¹ с ⁻¹ ), поэтому электронный импульс движется быстрее. Такое разделение можно наблюдать с помощью метода переходного заряда в высокоомных детекторах излучения CdTe [36].Однако коэффициент компенсации не должен быть слишком большим, в противном случае материал будет слишком внешним и может перейти в промежуточный режим или режим срока службы. Например, на рисунке 7 (c) коэффициент компенсации очень велик ( N _t / ( N _a — N _d ) = 10 ⁶ ) и σ _p уменьшается до 1 × 10 ⁻¹⁸ см ² , чтобы гарантировать, что время жизни не меньше временного интервала в расчете.В этом случае τ _D короче, чем τ _n и τ _p , таким образом, CdTe снова находится в режиме срока службы, за исключением своего сильного n-типа. Лишние дырки быстро захватываются после инжекции, в то время как избыточные электроны остаются в пятне возбуждения, притягиваясь положительными захваченными зарядами. Динамика фотоносителя соответствует амбиполярному процессу переноса в режиме жизни с преобладанием ловушек, как показано на рисунке 3 (b).

Увеличить

Уменьшить

Сбросить размер изображения

Рис. 7. Эволюция фотогенерированных носителей в CdTe с интервалом времени после возбуждения. Используемые параметры: = 1 × 10 ¹³ см ⁻³ , σ _n = 1 × 10 ⁻¹⁴ см ² и (а) N _t / ( N _a — N _d ) = 0.1, σ _p = 1 × 10 ⁻¹⁴ см ² ; (b) N _t / ( N _a — N _d ) = 2, σ _p = 1 × 10 см ² ; (c) N _t / ( N _a — N _d ) = 10 ⁶ , σ _p 16 = 1 −18 см ² .

Загрузить рисунок:

Стандартный образ
Изображение высокого разрешения

В данной работе исследуется влияние ловушек на динамику переноса фотоносителей. Если количество ловушек в полупроводнике сравнимо с концентрацией свободных носителей, времена жизни большинства и неосновных носителей не равны, поэтому динамику переноса фотоносителей можно разделить на три категории: релаксация, время жизни и промежуточные режимы. В режиме релаксации ( τ _D > τ _{n , p} ) фотогенерированные электроны и дырки будут разделены приложенным электрическим полем.Ловушки с высокой концентрацией способствуют накоплению значительных объемных зарядов на пути дрейфа фотоносителей, что увеличивает внутреннее электрическое поле между избыточными электронами и дырками. Внутреннее электрическое поле снижает скорости переноса носителей по сравнению с материалом без ловушек, что также можно наблюдать в других режимах. Кроме того, ловушки с высокой концентрацией могут накапливать фотоносители и значительно снижать чистую скорость рекомбинации, тем самым ослабляя истощение основных носителей заряда в режиме релаксации.В режиме срока службы ( τ _D < τ _{n , p} ) фотоносители будут перемещаться амбиполярно после короткого процесса разделения. Сильный эффект захвата неосновных носителей может закрепить избыточные основные носители в пятне инжекции. В промежуточном режиме ( τ _n > τ _D > τ _p или τ _p > D τ _n ), тип полупроводника и относительные величины τ _D , τ _n и τ _p поведение переноса фотоносителя.Для полупроводников n-типа фотогенерированные дырки будут дрейфовать вдоль электрического поля, за ними последуют избыточные электроны, если τ _n > τ _D > τ _p электроны и фотогенерированные электроны отверстия разделятся, если τ _p > τ _D > τ _n . В качестве приложения критерий для различных режимов изучается в случае CdTe с компенсацией глубоких доноров, где модель трехуровневой компенсации сочетается с моделью рекомбинации, опосредованной ловушками.Для получения детекторного CdTe, т.е. материалов в режиме релаксации, коэффициент компенсации должен быть больше единицы. С другой стороны, большие сечения захвата ловушек в детекторном CdTe не являются предпочтительными. Критерий релаксации и режимов жизни в CdTe также подтверждается численным моделированием динамики переноса фотоносителей. В мягком сверхкомпенсированном диапазоне, где материал может использоваться в качестве детекторов излучения, избыточные электроны и дырки разделяются приложенным электрическим полем.В противном случае материал становится слишком внешним там, где фотогенерированные носители переносятся амбиполярно.

Эта работа была поддержана Национальной программой ключевых исследований и разработок Китая (2016YFF0101301), Национальным фондом естественных наук Китая (NNSFC-51502244), Фондами фундаментальных исследований для центральных университетов (3102015BJ (II) ZS014) и фонд МИИТ (MJ-2017-F-05).

человек-галерея-подробности

человек-галерея-подробности

Галерея

ВыбратьЛюдиТранспортЗданияОборудованиеАвиапочтаЖелезные дорогиПраздникиTab.

Изменить отображение

Городские перевозчики, 1888

/who-we-are/postal-history/images/people/1888citycarriersNJ.jpg

Изменить отображение

Городские перевозчики, 1888

/who-we-are/postal-history/images/people/1888citycarriersNY.jpg

Изменить отображение

Городские перевозчики, ок. 1894

/who-we-are/postal-history/images/people/1894citycarriers.jpg

Изменить отображение

Курьер специальной доставки, ок.1890

/who-we-are/postal-history/images/people/1890messengers.jpg

Изменить отображение

Курьер специальной доставки, ок. 1890

/who-we-are/postal-history/images/people/1890messengersresting.jpg

Изменить отображение

Сельский перевозчик, 1908

/who-we-are/postal-history/images/people/1908ruralcarrier.jpg

Изменить отображение

Городские перевозчики, 1917 г.

/ who-we-are / postal-history / images / people / 1917 женщин-носителей.jpg

Изменить отображение

Сельский перевозчик, ок. 1920

/who-we-are/postal-history/images/people/1920villagecarrier.jpg

Изменить отображение

Звездный авианосец, 1920

/who-we-are/postal-history/images/people/1920carrieronskis.